仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している
幅(mm)2
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN， P
最大パワー消費(W)1.4
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.1 、3.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6895
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12
トランジスタ構成絶縁型
