チャンネルタイプ N 最大連続ドレイン電流 2.7 A 最大ドレイン-ソース間電圧 150 V パッケージタイプ SOIC 実装タイプ 表面実装 ピン数 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 95 m チャンネルモード エンハンスメント型 最低ゲートしきい値電圧 2V 最大パワー消費 3 W トランジスタ構成 シングル 最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V 幅 4mm 動作温度 Min -55 ℃mm ハロゲンフリー TrenchFETRパワーMOSFET
