チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 9.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 170 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
幅 = 9.65mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
