チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 5.6 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 51 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V 最大パワー消費 = 2.1 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V 幅 = 1.4mm 動作温度 Min = -55 ℃mm NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor