チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 1.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = SOT-323
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 185 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V
最大パワー消費 = 400 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V
幅 = 1.35mm
高さ = 1mm
NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
