チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 50 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V
最大パワー消費 = 48.1 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 6.22mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
