チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 4.4 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V 最大パワー消費 = 960 mW トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V 幅 = 1.4mm 高さ = 1.02mm PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor