不揮発性メモリ(NVRAM) Infineon

商品レビューを投稿する
5日以内出荷返品不可 5日以内出荷とは
お気に入りに追加
内容量1個 注文コード84014859 品番CY14B104LA-ZS25XI
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥7,038
販売価格(税別)
6,398

Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。

仕様
メモリサイズ = 4Mbit
構成 = 512 K x 8ビット
インターフェースタイプ = パラレル
データバス幅 = 8bit
最大ランダムアクセス時間 = 45ns
実装タイプ = 表面実装
パッケージタイプ = TSOP
ピン数 = 44
寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm
長さ = 18.51mm
幅 = 10.26mm
高さ = 1.04mm
動作供給電圧 Max = 3.6 V
動作温度 Max = +85 ℃
ワード数 = 512Kbit
RoHS指令(10物質対応)対応

商品レビュー

商品レビューを投稿すると毎月抽選で 1,000名様500円クーポンをプレゼント!

よくあるご質問(FAQ)

ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。

「ディスクリート」にはこんなカテゴリがあります

シェアする