仕様●サイズ：12インチシリコンウェハ●熱酸化膜膜厚み：900nm±10%●直径(mm)：300.0±0.2●ウェハー厚(μm)：775±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●Notch方位：110●抵抗値(Ω・cm)：1～100●V Notch●面状態：ミラー/ミラー●パーティクル：≧0.2μm，≦50個(成膜前)●TTV(μm)：≦10●数量：25枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。材質シリコングレード研究用仕上ミラー抵抗値1～100Ω・cmアズワン品番67-3009-46製造方法CZ法研磨内容両面鏡面径(inch)ウェハー：12
