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結束バンド インシュロックタイ 特殊樹脂シリーズ 導電性インシュロックタイ

24AA64/24FC64/24LC64 I2C シリアルEEPROM. Microchipの24AA64/24FC64/24LC64ファミリのデバイスは、64 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 V (24AA64/24FC64デバイス)、2.5 V (24LC64デバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 3 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C 互換 3本のアドレスピンのパッケージは最大8台のデバイスにカスケード可能 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 24FC64モデル用の1 MHzクロック ページの書き込み時間: 5 ms (最大) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 32バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持200年間

24AA64/24FC64/24LC64 I2C-シリアルEEPROM. Microchipの24AA64/24FC64/24LC64ファミリのデバイスは、64 KビットI2C-シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。特長. 単独の電源で1.7 (24AA64/24FC64デバイス)、2.5 (24LC64デバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 3本のアドレスピンのパッケージは最大8台のデバイスにカスケード可能 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 24FC64モデル用の1 MHzクロック ページの書き込み時間: ms (最大) セルフ時限の消去 書き込みサイクル 32バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護4，000 100万回を超える消去 書き込みサイクル データ保持:200年間

25AA256/25LC256 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA256/25LC256ファミリのデバイスは、256 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック: 10 MHz 最大書き込み電流: 5 mA 読み取り電流: 6 mA (標準) スタンバイ電流: 1 μA (標準) 32，768 x 8ビット構成 64バイトページ セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/4、1/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 耐久性: >；1 M回の消去 / 書き込み データ保持: >；200年間 ESD保護: >；4000 V

24AA02/24LC02B I2CシリアルEEPROM. Microchipの24AA02/24LC02Bファミリのデバイスは、2 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 V (24AA02デバイス)、2.5 V (24LC02Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 1 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 3 ms (標準) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 8バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: 200年間

KEMETのX7R誘電体の浮遊電極(FE-CAP)積層セラミックコンデンサは、カスケード式内部電極設計を使用し、複数のコンデンサを単一のモノリシック構造内に直列に構成しています。このユニークな構成により、標準的なコンデンサ設計に比べて電圧及びESD性能が強化され、物理的な損傷(割れ)が発生しても、フェイルオープンになります。200 MHz / 330 DMIPS、MIPS32 microAptivコア ライブアップデート対応のデュアルパネルフラッシュ 12ビット18 MSPS、45チャンネルADCモジュール 組み込みOSの実行を最適化するメモリ管理ユニット 最大35 %のコード圧縮を実現するmicroMIPSモード CAN、UART、I2C、PMP、EBI、SQI、アナログコンパレータ オーディオ処理及び再生用のSPI/I2Sインターフェイス Hi-Speed USBデバイス / ホスト / OTG 10 / 100 MbpsイーサネットMAC (MII及びRMIIインターフェイス搭載) 高度なメモリ保護 2 MBフラッシュメモリ(追加の160 KBブートフラッシュ) 640 KB SRAMメモリ

24AA02/24LC02B I2C-シリアルEEPROM. Microchipの24AA02/24LC02Bファミリのデバイスは、2 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 (24AA02デバイス)、2.5 (24LC02Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: ms (標準) セルフ時限の消去 書き込みサイクル 8バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護4，000 100万回を超える消去 書き込みサイクル データ保持:200年間

KEMET ESD 0603 X7R誘電体コンデンサKEMET ESD X7R車載グレードのコンデンサは、静電放電(ESD)によってコンデンサや回路が損傷する可能性のある多様な用途に適しています。これらのコンデンサは、人体モデル(HBM) AEC Q200-002のESD認定を取得しています。これらの積層セラミックコンデンサは温度安定性があり、最大動作温度は125℃です。静電容量の範囲

KEMET ESD 0603 X7R誘電体コンデンサKEMET ESD X7R車載グレードのコンデンサは、静電放電(ESD)によってコンデンサや回路が損傷する可能性のある多様な用途に適しています。これらのコンデンサは、人体モデル(HBM) AEC Q200-002のESD認定を取得しています。これらの積層セラミックコンデンサは温度安定性があり、最大動作温度は125℃です。静電容量の範囲

内径 = 25mm外径 = 52mm材料 = ステンレス鋼静定格荷重 = 710kgfRS Pro 球面RS Pro のこの球面ベアリングは、ベアリングハウジング内、又はその場(シャフトなど)に取り付けることができます。止めねじを使用してロックできます。ステンレススチール製で、 Durable and 錆止め性能を備えています。外径は 52 mm 、内径は 25 mm です。静的定格荷重は 710 kgf (キログラム力)で、動的定格荷重は 1，100 kgf です。重量は 200 gms です。 ロッドエンドは、過酷にテストされた RS Pro シリーズの高品質製品の一部です。また、安全な静電気放電については、 ANSI/ESD S20.20 ： 2014 及び BS EN61340-5-1 ： 2007 の規格にも適合しています。このような球面ベアリングは、ドライブシャフト、重機、ロボットなど、回転軸の変更が必要なさまざまな用途で一般的に使用されています。特長と利点.球面ベアリング . ステンレススチール .止めねじでベアリングをロックできます .動的定格荷重： 1，100 kgf .静的定格荷重： 710 kgf .重量 200 gms .内径 25 mm .外径は 52 mm です .静電気制御基準 ANSI/ESD S20.20:2014 および BS に適合 EN 61340 Part 5-1 ： 2007RS PRORS PROはメーカー独自のブランドで、選択肢を増やすために、高品質で価値の高い製品を幅広く提供しています。世界中のエンジニアから信頼を得ており、すべての RS Pro 製品は厳しい業界標準に対して厳しくテストされています 卓越した品質に自信を持っている場合のみ、 RS Pro 承認ラベルが付与されます。つまり、自信を持って作業できるということです。

論理回路 = 74AHCTロジックタイプ = バッファ， ドライバチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = CMOS、シュミットトリガ出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mm74AHCT1Gファミリ、Diodes Inc. 供給電圧範囲: 4.5 → 5.5 V 入力はTTL電圧レベル互換 ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

Microchip 25AA256-I/P は、256 K ビットシリアル電気消去可能 PROM です。このメモリには、シンプルなシリアルペリフェラルインターフェース(SPI)互換のシリアルバスを使用してアクセスします。必要なバス信号は、クロック入力(SCK)に加えて、データ入力(SI)とデータ出力(SO)の個別のラインです。デバイスへのアクセスは、チップ選択(CS)入力によって制御されます。デバイスとの通信は、ホールド(HOLD)ピンで一時停止させることができます。最大クロック: 10 MHz 低電力CMOSテクノロジー: 書き込み電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V - 読み取り電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V、10 MHz - スタンバイ電流: 1 μA @ 5.5V セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/4、1/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 高い信頼性: 耐久性: 100万回の消去 / 書き込みサイクル - データ保持: 200年 - ESD保護: 4000 V 対応温度範囲： 車載向けAEC-Q100認定