- 工具の通販モノタロウ
- ブランド一覧
- INFINEON
- 16ページ目
16ページ目: INFINEONのすべての商品
エコ商品
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様ブリッジタイプ：単相 、 ピーク逆繰返し電圧：40V 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOT-143 、 ピン数：4 、 ダイオードテクノロジー：ショットキー 、 構成：シングル 、 ピーク非繰返し順方向サージ電流：2A 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 ピーク順方向電圧：790mV 、 ピーク逆電流：10μA 、 長さ：2.9mm 、 幅：1.3mm 、 基板表面実装用ブリッジ整流器、BAS4002A、Infineon. 順方向低電圧ショットキーダイオードクワッドアレイ ロスの少ないブリッジ整流 高速スイッチング
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥74,980
税込￥82,478
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様電源スイッチの種類：高速スイッチ 、 スイッチオン抵抗：0.165Ω 、 出力数：4 、 電圧：16V 、 電流：7.5A 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：DSO 、 ピン数：20 、 寸法：12.8 x 7.6 x 2.45mm 、 長さ：12.8mm 、 幅：7.6mm 、 高さ：2.45mm 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、マルチチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様電源スイッチの種類：ハイサイドNMOS 、 スイッチオン抵抗：5Ω 、 出力数：1 、 電圧：60V 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOT-223 、 ピン数：3 + Tab 、 寸法：6.5 x 3.5 x 1.6mm 、 長さ：6.5mm 、 幅：3.5mm 、 高さ：1.6mm 、 動作温度 Max：+125 ℃ 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 産業用ハイサイドスイッチ、Infineon. Infineonのシングル及びマルチチェック保護スマートハイサイドNMOSパワースイッチ製品です。
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様構成：シングル1:1 、 パッケージタイプ：TO-252 、 実装タイプ：表面実装 、 標準シングル供給電圧：52 V 、 スイッチタイプ：ハイサイド 、 ピン数：5 、 電源タイプ：シングル 、 入力信号タイプ：CMOS 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 1チップ当たりのチャンネル数：1 、 寸法：6.5 x 6.22 x 2.3mm 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(2500個)
￥429,800
税込￥472,780
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様アンプタイプ：Class-D●出力タイプ：モノリシック●最大電力：500W●アンプのクラス：クラスD●電源タイプ：シングル●1チップ当たりのチャンネル数：1●パッケージタイプ：SOIC●ピン数：16●入力信号タイプ：シングル●出力信号タイプ：シングル●標準ゲインバンド幅積：9MHz●最小CMRR：60dB●寸法：9.98 x 4 x 1.5mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(2500個)
￥599,800
税込￥659,780
7日以内出荷
仕様最大連続 順方向電流：130mA 、 1チップ当たりのエレメント数：2 、 ピーク逆繰返し電圧：4V 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOT-23 、 ダイオードテクノロジー：ショットキー 、 ピン数：3 、 最大順方向降下電圧：600mV 、 長さ：2.9mm 、 幅：1.3mm 、 高さ：1mm 、 動作温度 Min：-55 ℃ 、 ショットキーバリアダイオード、Infineon
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥36,980
税込￥40,678
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：1.8 W●シリーズ：SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(1000個)
￥64,980
税込￥71,478
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2.1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：10.8 W●1チップ当たりのエレメント数：1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥2,498
税込￥2,748
7日以内出荷
