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Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 50 A スルーホールパッケージTO-247AC 3 ピン
INFINEON
￥11,980税込￥13,178
1セット(25個)
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.3mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 11.3 A 表面実装パッケージPG-TSDSON-8 8 ピン
INFINEON
￥3,198税込￥3,518
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = PG-TSDSON-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 9.3 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥6,498税込￥7,148
1セット(50個)
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 82 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET20 V 6.7 A スルーホールパッケージSO-8
INFINEON
￥579税込￥637
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SO-8実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 60 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥669税込￥736
1個
8日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 390 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 9.02mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 33 A 基板実装パッケージD-PAK
INFINEON
￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = D-PAK実装タイプ = 基板実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 1.6 A スルーホールパッケージSOT-223 (TO-261AA)
INFINEON
￥99,980税込￥109,978
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-223 (TO-261AA)実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 10 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥6,598税込￥7,258
1セット(50個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 85 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥589税込￥648
1個
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 350 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 71 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 42 A 基板実装パッケージD-PAK
INFINEON
￥229,800税込￥252,780
1セット(2000個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 42 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D-PAK実装タイプ = 基板実装RoHS指令(10物質対応)対応
Cypress Semiconductor， CY62138FV30LL-45Z
INFINEON
￥58,980税込￥64,878
1セット(156個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 256k x 8ワード数 = 256k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 42 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥449税込￥494
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 42 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 17 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
INFINEON
￥2,998税込￥3,298
1袋(20個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 79 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 1.6 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
1セット(3000個)
取扱停止中
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 235 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 9.7 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥5,498税込￥6,048
1セット(50個)
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 9.3 A 表面実装パッケージPQFN
INFINEON
￥1,098税込￥1,208
1袋(2個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = PQFN実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 63 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
INFINEON
￥2,198税込￥2,418
1袋(10個)
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 63 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 143 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm順方向ダイオード電圧 = 1.3VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
8日以内出荷
デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4.9V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 100 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 43 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥2,998税込￥3,298
1袋(5個)
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 43 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V動作温度 Max = +175 ℃高さ = 16.51mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET20 V 9 A スルーホールパッケージSO-8
INFINEON
￥349,800税込￥384,780
1セット(4000個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SO-8実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 600 mA 表面実装パッケージTSOP-6 6 ピン
INFINEON
￥649税込￥714
1袋(10個)
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 600 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 13 A スルーホールパッケージDPAK
INFINEON
￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 20 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
INFINEON
￥8,898税込￥9,788
1セット(50個)
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 52 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 8.9mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン
INFINEON
￥3,598税込￥3,958
1袋(5個)
8日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 15 A スルーホールパッケージTO-252AA
INFINEON
￥139,800税込￥153,780
1セット(2000個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-252AA実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 33 A スルーホールパッケージIPAK 3 ピン
INFINEON
￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = IPAK実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型トランジスタ素材 = シリコンRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 17 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
INFINEON
￥3,598税込￥3,958
1袋(20個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 70 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
Infineon Nチャンネル MOSFET20 V 1.2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥489税込￥538
1袋(5個)
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V最大パワー消費 = 540 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 2.6 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 40 A， 3-Pin TO-247 シングル
INFINEON
￥2,398税込￥2,638
1袋(4個)
7日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V VCEsatが非常に低いターンオフ損失が低いショートテール電流低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 250 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.13 x 5.21 x 21.1mm動作温度 Min = -40 ℃pFRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 10 A スルーホールパッケージDPAK
INFINEON
￥129,800税込￥142,780
1セット(2000個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥6,698税込￥7,368
1セット(50個)
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET 185 A パッケージTO-220
INFINEON
￥2,498税込￥2,748
1袋(2個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 185 Aパッケージタイプ = TO-220RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 44 A スルーホールパッケージTO-247AC 3 ピン
INFINEON
￥1,298税込￥1,428
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 44 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 46 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 310 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 72 nC @ 10 Vmm高さ = 20.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 56 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥2,998税込￥3,298
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 56 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBTモジュール 1200 V 580 A， 3-Pin 62 mmモジュールシリーズ
INFINEON
￥199,800税込￥219,780
1箱(10個)
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Infineon IGBTモジュール. Infineon シリーズの IGBTモジュールは、最高60 Khzの切り替えに対する低スイッチング損失を実現します。このIGBTの用途は、様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタエミッタ電圧を備えたEconoPACKパッケージ、最高1600 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP ；sup>；TM ；/sup>；/ フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。. パッケージスタイルの内容: 62 mmモジュール、EasyPACK、EconoPACK ；sup>；TM ；/sup>；2/ EconoPACK ；sup>；TM ；/sup>；3/ EconoPACK ；sup>；TM ；/sup>；4.
仕様最大連続コレクタ電流 = 580 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 2.4 kWパッケージタイプ = 62 mmモジュール実装タイプ = パネルマウントチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シリーズ寸法 = 106.4 x 61.4 x 30.9mm動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 9.4 A スルーホールパッケージIPAK (TO-251) 3 ピン
INFINEON
￥249税込￥274
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 210 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 600 V 30 A， 3-Pin PG-TO252 1 シングル
INFINEON
￥329,800税込￥362,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
Infineon IKD03N60RF は、スイッチング時の熱サイクルが少ないので、モノリシック集積 IGBT 及びダイオードを使用することで信頼性が高くなります。スムーズなスイッチング性能により EMI レベルが低くなります。動作範囲は 4 → 30 kHz です。パラメータのばらつきが非常に少ない最大ジャンクション温度： 175 ℃ 5 μ s の短絡能力
仕様最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = 20V最大パワー消費 = 250 Wパッケージタイプ = PG-TO252チャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングルRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon N， Pチャンネル MOSFET55 V 3.4 A、4.7 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピン
INFINEON
￥289,800税込￥318,780
1セット(4000個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 3.4 A、4.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = IRF7343PbF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.065 Ω 、 0.17 Ωチャンネルモード = デプレッション型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 W最大ゲート-ソース間電圧 = 20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mm
Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 74 A， 3-Pin TO-247 シングル
INFINEON
￥3,798税込￥4,178
1袋(4個)
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Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低いターンオフ損失が低いショートテール電流低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 74 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 250 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.13 x 5.21 x 21.1mm動作温度 Min = -40 ℃pFRoHS指令(10物質対応)対応
PチャンネルパワーMOSFET 38 A 表面実装パッケージD2PAK TO-263 3 ピン 1セット 800個入
INFINEON
￥279,800税込￥307,780
1セット(800個)
7日以内出荷
PチャンネルパワーMOSFET100V→150V、Infineon InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、適したシステム効率を発揮できます。
仕様●チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：38 A●最大ドレイン-ソース間電圧：100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：60 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：170 W●トランジスタ素材：Si●RoHS適合状況：適合●コード番号：165-5892アズワン品番68-4150-82

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