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Infineon 高速スイッチ
INFINEON￥979～税込￥1,077～1個ほか7日以内出荷から8日以内出荷仕様電源スイッチの種類：高速スイッチ 、 スイッチオン抵抗：0.165Ω 、 出力数：4 、 電圧：16V 、 電流：7.5A 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：DSO 、 ピン数：20 、 寸法：12.8 x 7.6 x 2.45mm 、 長さ：12.8mm 、 幅：7.6mm 、 高さ：2.45mm 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、マルチチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon ハイサイドNMOS
INFINEON￥2,598～税込￥2,858～1袋(20個)ほか8日以内出荷仕様電源スイッチの種類：ハイサイドNMOS 、 スイッチオン抵抗：5Ω 、 出力数：1 、 電圧：60V 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOT-223 、 ピン数：3 + Tab 、 寸法：6.5 x 3.5 x 1.6mm 、 長さ：6.5mm 、 幅：3.5mm 、 高さ：1.6mm 、 動作温度 Max：+125 ℃ 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 産業用ハイサイドスイッチ、Infineon. Infineonのシングル及びマルチチェック保護スマートハイサイドNMOSパワースイッチ製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon シングル1:1 アナログスイッチ
INFINEON￥469,800税込￥516,7801リール(2500個)8日以内出荷仕様構成：シングル1:1 、 パッケージタイプ：TO-252 、 実装タイプ：表面実装 、 標準シングル供給電圧：52 V 、 スイッチタイプ：ハイサイド 、 ピン数：5 、 電源タイプ：シングル 、 入力信号タイプ：CMOS 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 1チップ当たりのチャンネル数：1 、 寸法：6.5 x 6.22 x 2.3mm 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon オーディオアンプ IC
INFINEON￥439,800税込￥483,7801リール(2500個)8日以内出荷仕様アンプタイプ：Class-D●出力タイプ：モノリシック●最大電力：500W●アンプのクラス：クラスD●電源タイプ：シングル●1チップ当たりのチャンネル数：1●パッケージタイプ：SOIC●ピン数：16●入力信号タイプ：シングル●出力信号タイプ：シングル●標準ゲインバンド幅積：9MHz●最小CMRR：60dB●寸法：9.98 x 4 x 1.5mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFETトランジスタ
INFINEON￥49,980税込￥54,9781リール(1000個)8日以内出荷仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：1.8 W●シリーズ：SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET
INFINEON￥3,798税込￥4,1781袋(20個)8日以内出荷仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2.1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：10.8 W●1チップ当たりのエレメント数：1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 5チャンネル 単方向 TVSダイオード
INFINEON￥4,998税込￥5,4981袋(100個)7日以内出荷仕様ダイオード構成：コンプレックスアレイ 、 最大クランピング電圧：9.2V 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SC-74 、 ピン数：6 、 最大ピークパルス電流：6A 、 ESD保護：あり 、 1チップ当たりのエレメント数：5 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 動作温度 Max：+125 ℃ 、 幅：1.6mm 、 ESDプロテクタ、Infineon. 高速ESD保護を必要とする用途に適した、Infineon過渡電圧抑制用(TVS)ダイオードRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 2チャンネル 高速スイッチ
INFINEON￥299,800税込￥329,7801リール(1000個)7日以内出荷仕様電源スイッチの種類：高速スイッチ 、 スイッチオン抵抗：0.07Ω 、 出力数：2 、 電圧：5.5 → 40V 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：DSO 、 ピン数：14 、 寸法：6.4 x 7.5 x 2.35mm 、 長さ：6.4mm 、 幅：7.5mm 、 高さ：2.35mm 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、マルチチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護RoHS指令(10物質対応)対応
IGBT PIM Module
INFINEON￥6,670税込￥7,3371個7日以内出荷仕様IGBTモジュール、Infineon. Infineon シリーズのIGBTモジュールは、最高60 Khzの切り替えに対するスイッチング損失が小さくなっています。 IGBTには、1200 Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたECONOPACKパッケージ、最高1600 / 1700 VのNTC (負の温度係数)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどの電源モジュール製品を用意しています。 PrimePACK IGBTは、産業用、商用、建築用、農業用の車両で使用されています。 NチャンネルTRENCHSTOP TM 及びフィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。. パッケージスタイルの内容: 62 mmモジュール、EasyPACK、EconoPACK TM 2 / EconoPACK TM 3 / EconoPACK TM 4RoHS指令(10物質対応)対応
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