「トランジスタ 絶縁」の検索結果
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 70Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP-B入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 18μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms最大電流変換率 = 260%標準降下時間 = 18μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥399
税込￥439
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仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2.4μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5000 V ac最大電流変換率 = 50%標準降下時間 = 2.4μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥799
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仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.65Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrms最大電流変換率 = 200%最小電流伝送率 = 100 %オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥369
税込￥406
5日以内出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 18μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms最大電流変換率 = 260%標準降下時間 = 18μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥969
税込￥1,066
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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.55Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 1.6μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 2.5 kVrms最大電流変換率 = 200%標準降下時間 = 2.2μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥739
税込￥813
翌々日出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 3μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
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税込￥106
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 161チップ当たりのエレメント数 = 4最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 Vデュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,198
税込￥2,418
7日以内出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.75Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrms論理出力 = Yオプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥3,998
税込￥4,398
6日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.75Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrms論理出力 = Yオプトカプラ、アナログFET出力、Fairchild Semiconductor. この光検出器は、赤外線発光ダイオードの入力から電気的に絶縁されています。 このオプトカプラは、低レベルのAC及びDCアナログ信号の歪みない制御向けに設計された、理想的な絶縁型FETです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥3,598
税込￥3,958
5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.6 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥369
税込￥406
7日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ダーリントン最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 8μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 2.5 kVrms最大電流変換率 = 1000%標準降下時間 = 110μsオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor デュアル Nチャンネル 小信号 MOSFET， 25 V， 500 mA， 6 ピン パッケージSOT-363 (SC-70)
エコ商品
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 770 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大ゲート-ソース間電圧 = +8 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-70)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 300 mW標準ターンオフ遅延時間 = 17 ns強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥449
税込￥494
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 48 nsPowerTrench(R)デュアルPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥999
税込￥1,099
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 15 nsPowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥589
税込￥648
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1600 mW標準ターンオフ遅延時間 = 68 nsPowerTrench(R)デュアルPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,198
税込￥1,318
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