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インターフェース = ラインドライバIC。トランスミッタ数 = 4 (RS-422)。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.65mm。RS-422ラインドライバ / レシーバ、STMicroelectronics

センサータイプ = 近接センサー。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = LGA。ピン数 = 12。寸法 = 4.8 x 2.8 x 1mm。高さ = 1mm。長さ = 4.8mm。動作供給電圧 Max = 3 Vmm。VL6180X近接 / ジェスチャ / 周辺光センサモジュール. 3つを1つにまとめたスマートな光学モジュール: 近接センサ、周辺光センサ、VCSEL光源 高速で正確な距離の検知範囲: 対象物の反射によらず、ゼロから10 cm以上の範囲の絶対値を測定 ジェスチャ認識 周辺光センサ

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力数 = 1。ラインレギュレーション = 100 mV。ロードレギュレーション = 100 mV。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-220FPmA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。長さ = 10.4mm。負電圧リニアレギュレータ、STMicroelectronics. 標準の負電圧レギュレータは、非常に安定した信頼性の高い動作を実現し、短絡と熱的過負荷から保護する機能を備えています。 多様な電圧調整の用途に適しています。

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 20 mV。ロードレギュレーション = 20 mV%。極性 = 正。静止電流 = 4mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.2mm。LDO(低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、STMicroelectronics、800 mA → 1 A

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 2.5 V。ラインレギュレーション = 12 mV。ロードレギュレーション = 12 mV%。極性 = 正。静止電流 = 0.5mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。高さ = 2.4mm。長さ = 6.6mm。LDO (低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、STMicroelectronics、250 → 500 mA

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 5.5 V。ラインレギュレーション = 200 mV。ロードレギュレーション = 60 mV。極性 = 正。静止電流 = 6mA。ピン数 = 8。出力タイプ = 固定。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4mm。STMicroelectronics リニア電圧レギュレータ、100 mA. L78Lシリーズの3端子正電圧レギュレータは、内部電流制限とサーマルシャットダウンの機能があります。 ヒートシンクの性能が十分に高く、100 mAを超える電流を出力できます。

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 3.3 V。ラインレギュレーション = 6 mV。ロードレギュレーション = 10 mV%。極性 = 正。静止電流 = 5mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 6.2mm。リニア電圧レギュレータ、800 mA、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 32A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TOP3。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 610A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 80mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。最大保持電流 = 150mA。ピン数 = 3。寸法 = 15.5 x 4.6 x 12.85mm。動作温度 Max = +125 ℃V。サイリスタ、STMicroelectronics. STMicroelectronics製の幅広い汎用サイリスタは、定格400 → 1200 Vの遮断電圧と最高定格50 Aのオン状態の電流を備えています。

定格平均オン電流 = 25A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。最大ゲートトリガー電流 = 50mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 1200V。サージ電流レーティング = 252A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 1200V。最大保持電流 = 60mA。寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm。長さ = 10.28mm。幅 = 9.35mm。高さ = 4.6mm。ピークオンステージ電圧 = 1.55V。STMicroelectronics 25 → 40 A トライアック

最大破壊電流 = 0.05mA。最大破壊電圧 = 36V。繰り返しピークオンステート電流 = 2A。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。ピン数 = 2。寸法 = 4.5 x 2 x 2mm。長さ = 4.5mm。幅 = 2mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。；b>DB3 、 DB4 、 SMDB3 DIAC ダイオード ；/b>. 固定基準電圧でトリガダイオードとして機能する ST Microelectronics DB3 / DB4 シリーズは、トライアックと組み合わせてゲート制御回路を単純化したり、蛍光灯バラストの起動エレメントとして使用したりすることができます。表面実装 SOT23-3L パッケージにより、自動製造用のコンパクトな SMD ベースデザインが可能です。. ；b>特長と利点 ；/b>. ；ul> ；li>VBO ： 32 V および 40 V ；/li> ；li>低ブレークオーバー電流 ；/li> ；li>ブレークオーバー電圧対称： 3 V ；/li> ；li>ECOPACK R 2 適合 ；/li> ；/ul>. ；b>用途 ；/b>. ；ul> ；li>トライアック又は SCR ベースのモータ / 光ディマー用のトリガデバイスです ；/li> ；li>発振器回路用の 32 V トリガデバイス ；/li> ；li>CFL 、 TL 、 LED ランプの照明バラストの起動トリガ ；/li> ；/ul>

実装タイプ = 表面実装。タイマータイプ = ウォッチドッグ。パッケージタイプ = SOT-23。内部タイマー数 = 1。ピン数 = 5。動作供給電圧 Min = 2.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +125 ℃。寸法 = 3 x 1.75 x 1.3mm。ウォッチドッグタイマ、STMicroelectronics

最大破壊電流 = 0.015mA。最大破壊電圧 = 34V。繰り返しピークオンステート電流 = 2A。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。ピン数 = 2。寸法 = 4.5 x 2 x 2mm。長さ = 4.5mm。幅 = 2mm。高さ = 2mm。DIACダイオード

最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-247。ピン数 = 3V。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 15.75mm。幅 = 5.15mm。高さ = 20.15mm。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics

分類 評価ボード。テクノロジー MCU。プロセッサファミリ名 STM。プロセッサ品番 STM32F439 NI。STM32F429I評価ボード. STMicroelectronics STM32429I-EVAL ARM ；sup>R ；/sup> Cortex M4評価ボードは、 STM32F429 MCUとともに動作します。 この開発プラットフォームにより、ユーザは短時間でアプリケーションを開発でき、また組み込みのST-LINK/V2により、STM32マイクロコントローラ用の組み込みデバッガとプログラマも使用できます。. マイクロコントローラ: STM32F429NIH6 カラーTFT LCD (4.3インチタッチスクリーン) 電源(5 V): 電源ジャック； ST-LINK/V2 USBコネクタ； USB HSコネクタ； USB FS1コネクタ； USB FS2コネクタ； ドーターボード RS-232通信 SDIOインターフェイス: Micro SDカード 組み込みST-LINK/V2 (JTAG/SWD及びETMトレース) SDRAM (8 x 32ビット)； SRAM (1 x 16ビット)及びNOR Flash (8M 16ビット) プッシュボタン: リセット、ウェイクアップ及びタンパ ステータスLED 4 RTC； ポテンショメータ； ジョイスティック； カメラモジュール； IrDAトランシーバ； モータ制御コネクタ； SAI Audio DAC； ステレオデジタルマイク； RF EEPROM

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.25 W。最小DC電流ゲイン = 100， 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。最小DC電流ゲイン = 16。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 75 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 2 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2000 mW。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 75 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 2 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 90 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大動作周波数 = 3 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -6 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 65 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mm。PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 20.8 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.8 x 7.8 x 2.7mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 6 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 65 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

ファミリー名 = STM32F1。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M3。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 128 kB。最大周波数 = 72MHz。RAMサイズ = 64 kB。USBチャンネル = 1 x OTG。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 3。標準動作供給電圧 = 2 → 3.6 V。幅 = 14.2mm。STM32F105/107シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. Cortex M3コアを搭載したSTMicroelectronics STM32F105/107 プロセッサは、最大72 MHzで動作します。 STM32シリーズは、ARMベースの32ビットMCU、16ビットタイマ、CAN、ADC、USB 2.0フルスピードインターフェイス / OTG、イーサネットMAC及び通信インターフェイス(I ；sup>2 ；/sup>C、SPI、UART)で構成されています。 STM32 ARM Cortex-M3 32ビットフラッシュマイクロコントローラは、低電圧、低消費電力で動作し、リアルタイム機能を発揮します。 MCUアーキテクチャは使いやすいSTM32プラットフォームを採用しており、3つの異なるパッケージを用意しています。 これらの組み込みデバイスは、モータドライブ、プリンタ、スキャナ、アラームなどの用途、及び産業用途で機能します。. ARMのCortexインテリジェントプロセッサ 使用温度範囲: -40 → +85 ℃ 電源: 2 → 3.6 V フラッシュメモリ: 最大256 Kb SRAM: 最大64 Kb 省電力モードのセット

ファミリー名 STM32F0。パッケージタイプ LQFP。実装タイプ 表面実装。ピン数 32。デバイスコア ARM Cortex M0。データバス幅 32bit。プログラムメモリサイズ 32 kB。最大周波数 48MHz。RAMサイズ 4 kB。USBチャンネル 0。PWMユニット数 1 16 bit。SPIチャンネル数 1。CANチャンネル数 0。幅 7.2mm。STM32F03シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. STMicroelectronics ARM Cortex-M0ベースのSTM32F0シリーズマイクロコントローラには、エントリレベルのARM Cortex M0 32ビットRISCコアが搭載されています。 STM32F030バリューラインは、内蔵の高速メモリ及び強化された各種周辺機器とI/Oを備えています。 I2C、SPI、USARTなどの通信インターフェイスの他に、12ビットADC、16ビットタイマ、及び高度な制御用PWMタイマも備えています。 STのSTM32F0 MCUの高度なアーキテクチャをSTM32プラットフォームと組み合わせると、さまざまなパッケージタイプで低電力用途の設計を提供できるようになります。 フラッシュメモリとSRAMが組み込まれたARM Cortex-M0コアプロセッサは、あらゆるARMツール及びソフトウェアに対応しています。 STM32F030 ARMプロセッサマイクロコントローラ(MCU)は、アプリケーション制御やユーザーインターフェイス、ハンドヘルド機器、A/Vレシーバ、PC周辺機器、ゲームプラットフォーム、家庭用電化製品、プリンタ、アラームシステム、HVACなどの幅広い用途に適しています。. 周波数: 48 MHz CPU フラッシュメモリ: 最大64 Kバイト SRAM: 最大8 Kバイト 電源: 2.4 3.6 使用温度範囲: -40 +85 ℃

ファミリー名 STM32F4。パッケージタイプ LQFP。実装タイプ 表面実装。ピン数 144。デバイスコア ARM Cortex M4。データバス幅 32bit。プログラムメモリサイズ 512 kB。最大周波数 168MHz。RAMサイズ 192 4 kB。USBチャンネル 2。PWMユニット数 1 32 bit。SPIチャンネル数 3。標準動作供給電圧 3.6 V。ADC数 24 12ビットmm。STM32F407 417マイクロコントローラ、STMicroelectronics. STM32 F407/417 高性能ARM ；sup>R ；/sup>Cortex M4ベースのマイクロコントローラは、168 MHz動作周波数に革新的な周辺機器を統合します。さらに、CMOSセンサ用のEthernet MAC及びカメラインターフェイスも備えています。 STM32 F407/417 32ビットフラッシュMCUは、デジタル信号処理(DSP)命令を備えた浮動小数点ユニット(FPU)と、アプリケーションセキュリティを高めるメモリ保護ユニット(MPU)を装備しています。 STの STM32F417 マイクロコントローラは、暗号化 ハッシュプロセッサを内蔵し、AES 128、192、256、Triple DES、ハッシュ(MD5、SHA-1)のハードウェアアクセラレーションを提供します。 STMicroelectronics STM32 F407/417 高性能業界標準コアアーキテクチャには、接続済みの拡張周辺機器とI/Oが付属しています。 これにはADC、DAC、RTC、16ビットタイマ(モータコントロール用の2つのPWMタイマを含む)、32ビットタイマが含まれます。 真の乱数ジェネレータ(RNG)も含まれます。 さらに、一連の節電モードにより、低電力アプリケーション設計が可能になります。 モータドライブやアプリケーションコントロール、産業用途(インバータ、PLC、スキャナ、HVAC、ビデオインターコム、家庭用オーディオ機器、医療機器)など、幅広い用途に対応します。. 168 MHz CPU 210DMIPS ARTアクセラレータ(ダイナミック電源スケール) 12ビットDAC、12ビットADC タイマ: 16ビット及び32ビット 使用温度範囲: 40 +85 ℃及び40 +105 電源: 1.8 3.6 標準及び高度な通信機能 I ；sup>2 ；/sup>C、SPI、I ；sup>2 ；/sup>S全二重(内部オーディオPLL専用) USART、UART USB OTG FS、USB OTG HS、CAN SDIO MMCインターフェイス 真の乱数ジェネレータ フラッシュメモリ: 最大1 MB、SRAM: 最大192 KB、バックアップRAM: 最大4 KB 暗号化 ハッシュプロセッサ (STM32F417のみ)

ファミリー名 = STM32F3。パッケージタイプ = UFQFPN。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 32。デバイスコア = ARM Cortex-M4。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 64 kB。最大周波数 = 72MHz。RAMサイズ = 16 kB。USBチャンネル = 1。SPIチャンネル数 = 2。CANチャンネル数 = 1。幅 = 5.1mm

出力電流 Max = 2A。出力電圧 Max = 50 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 3.3 V。入力電圧 Min = 8 V。入力電圧 Max = 55 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。最大スイッチング周波数 = 300 kHz。パッケージタイプ = SOIC W。スイッチングレギュレータ = あり。ラインレギュレーション = 10 mV。幅 = 7.6mm。DC-DC Switching Converters， Step-Down Regulators， STMicroelectronics. STのモノリシックスイッチングレギュレータは、高入力電圧対応で、最大4 Aの電流を出力し、高スイッチング周波数となっています。

ファミリー名 STM32F0。パッケージタイプ LQFP。実装タイプ 表面実装。ピン数 32。デバイスコア ARM Cortex M0。データバス幅 32bit。プログラムメモリサイズ 64 kB。最大周波数 48MHz。RAMサイズ 8 kB。USBチャンネル 0。PWMユニット数 1 16 bit。SPIチャンネル数 1。標準動作供給電圧 2 3.6 V。ADC数 13 12ビットmm。STM32F05シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. STM32F05マイクロコントローラファミリのARM Cortex-M0、32ビットRISCコアは最大周波数48 MHzで動作し、高速のフラッシュメモリと高度なペリフェラルを備えています。また、I2C、SPI、I2S及びUSART通信インターフェイス、タイマ、ADC、DACも搭載しています。 リアルタイム性能と低電力消費を備えたARM Cortex-M0 STM32 F05はSTMicroelectronics STM32プラットフォームで機能します。 このマイクロコントローラはHVAC、アプリケーション制御、家庭用電化製品、PC周辺機器、ハンドヘルド機器及びその他の多くの用途に使用できます。. Cortex-M0: 動作周波数48 MHz 12ビットADC、16ビットタイマ、32ビットタイマ及び高度な制御PWMタイマ 温度範囲: -40 +85 ℃又は-40 +105 電源: → 3.6 STM32F05 最大32 kBのフラッシュメモリ、最大4 kBのSRAM STM32F051x4 STM32F051x6 及び STM32F051x8 最大64 kBのフラッシュメモリ、最大8 kBのSRAM

ファミリー名 = STM32F4。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 64。デバイスコア = ARM Cortex M4。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 128 kB。最大周波数 = 100MHz。RAMサイズ = 32 kB。USBチャンネル = 0。標準動作供給電圧 = 1.7 → 3.6 V。幅 = 10mm。STMicroelectronics STM32F410 シリーズ マイクロコントローラ. STM32F410 マイクロコントローララインは、 STM32 F4 シリーズのエントリレベルの製品です。Cortex-M4 コアと浮動小数点ユニットを搭載しています。バランスのとれた性能と電力効率を必要とするアプリケーション向けに設計されています。組み込みメモリと周辺機器が小型のパッケージ内に高度に集積化されています。. STM32F410は、100 MHzで125 DMIPS / 339 CoreMarkのパフォーマンスを発揮 フラッシュメモリの実行(0 待機状態) ART アクセラレータとダイナミック電力スケーリングによる効率性 最大9個の通信インターフェイス 2.4 Mspsに達する12ビットADCと12ビットDAC 最大9個のタイマ