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実装タイプ = パネルマウント。パッケージタイプ = D-55。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600A。Vishay シリコンジャンクションダイオード VS-T40HF .. 、 VS-T70HF .. 、 VS-T85HF .. 、 VS-T110HF .. このシリーズの T モジュールでは、標準の回復用パワー整流ダイオードが使用されています。半導体は金属ベースから電気的に絶縁されているため、共通のヒートシンクとコンパクトなアセンブリを作成できます。主な用途には、電源、バッテリ充電、溶接機、モータ制御、一般的な産業用電流整流などがあります。 特長 電気的に絶縁されたベースプレート 最大 1200 個の VRRM を入力します 絶縁電圧： 3500 Vrms 機械設計の簡素化、 Rapid Assembly 高サージ機能 大きな沿面距離 UL E78996 認定 RoHS 指令 2002/95/EC に準拠 工業レベルの設計と認定を受けている

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 595A。標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 70A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = スタッドアノード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.35V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA。標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-5。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = スタッドアノード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 595A。標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

バリスタ電圧 = 430V。最大AC定格電圧 = 275V。最大直流定格電圧 = 350V。制限電圧 = 710V。クランプ電流 = 10A。材料 = ZnOセラミックJ。シリーズ = VDRS。直径 = 9mm。最大サージ電流 = 1200A。静電容量 = 140pF。長さ = 35mm。厚さ = 4.9mm。寸法 = 9 Dia. x 4.9mm。リード間隔 = 5mm。VDR金属酸化物バリスタ(標準)特長 低β高純度酸化亜鉛ディスク ハロゲンフリー絶縁エポキシコーティング 酸化亜鉛ディスク、HFエポキシコーティング

実装タイプ = ねじ取り付け。パッケージタイプ = DO-205AA。最大連続 順方向電流 = 150A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.47V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 3.1kA。標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

静電容量 = 90F。電圧 = 5.6V dc。実装タイプ = スルーホール。動作温度 Min = -20℃。動作温度 Max = +85℃。高さ = 15mm。寸法 = 35 x 25 x 15mm。リード間隔 = 15mm。漏れ電流 = 0.5 mA。等価直列抵抗 = 180 (dc) mΩ， 60 (ac) mΩ。寿命 = 1000h。シリーズ = 196 HVC。許容差 = -20 → +80%。末端仕様 = ラジアルmm。196 HVCシリーズ. 低プロファイル: 2.5 mm 13 Ws/gの高電力密度 最高6つのセルを使用可能 90 Fまでの静電容量 スタック式スルーホール、フラット表面実装、及びレイフラット構成を備えたピン、タブ、コネクタを用意 幅広い電圧範囲: 1.4 → 8.4 V 有効寿命: 1000時間 @ +85 ℃. 組み込みコンピュータ、サーバー、データストレージシステム、業務用リモコン、リアルタイムクロック、緊急照明、ゲーム、自動販売機、ネットワーク機器における環境発電と電源ラインのバックアップ用途

IR LED

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。シリーズ = H11A。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.54 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。19 mm (3/4インチ) 500 mW長方形端面調整型43Pシリーズ、標準. 独自のスライダブロックによる優れた設定能力 マルチフィンガーワイパーによるCRVの最小化 密閉による液浸基板洗浄への耐性 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 行程末端でワイパー停止 パネル取り付けアダプタを用意、品番 ； 855-305 855-305

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 200kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 1W。シリーズ = 70Y。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 33.53mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +150℃。32 mm (1 1/4インチ) 0.5 W長方形端面調整型70Yシリーズ. 高い定格電力(0.5 W @ 70 ℃) 独自のスライダブロックによる優れた設定能力 マルチフィンガーワイパーによるCRVの最小化 密閉による液浸基板洗浄への耐性 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 行程末端でワイパー停止 パネル取り付けアダプタを用意、品番 ； 855-311 855-311

抵抗 = 15MΩ。定格電力 = 0.5W。許容差 = ±5%。テクノロジー = メタルグレース。シリーズ = VR37。温度係数 = ±200ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。VR37シリーズ、アキシャル. Vishay VR37シリーズの金属皮膜抵抗器です。 定格0.5 Wで高い信頼性と品質を保証します。 この抵抗器は、ライトブルーのラッカーコーティングにより、電気、機械、気候に対する保護を実現しています。. 各種抵抗値のものを用意 高パルス負荷機能(10 kV) 技術: メタルグレーズ

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21回転(電気的)、23回転(機械的)。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 64W。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

抵抗 = 3.9Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

最大抵抗 = 100Ω。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.2 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 15。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.75W。シリーズ = T18。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。長さ = 19mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。0.5 W多回転サーメットトリマ - T18シリーズ. Vishay Sfernice T18シリーズ 15回転サーメットトリマ より線式スライダで接触抵抗が低い シーリング: IP 67

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 12Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 63M。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.52mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。63M-T607ツマミ調整. 高さ10.41 mm

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。6 mm 1 / 4インチ250 mW側面調整74Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング 成形ボディ 高さ6.35 mm、ピン径0.4 mm

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 500Ω。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 21。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = T93。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.7mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。多回転IP67シール構造のサーメットトリマー - T93シリーズ. Vishay Sfernice T93シリーズ 19回転サーメットトリマ 接触抵抗の変動が低い IP67等級のシール構造

抵抗 = 50Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = 表面実装。回転数 = 11。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = TSM4。終端スタイル = ガルウィング。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 4.8mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。4mm 11 Turn Sealed 250mW TSM 4YL Series. 最適なパッキング密度が得られるコンパクトなサイズ 業務用グレード 低い接触抵抗の変動と優れた安定性 手動及び自動動作に最適 IP67準拠の完全密閉型 ベイパーフェーズ及びリフローによるはんだ付け フットプリントプロファイルで選択可能

抵抗 = 20Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整