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エコ商品
仕様標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 830 mWパッケージタイプ = SOD-123Fツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 2.7mm寸法 = 2.7 x 1.7 x 1.2mm幅 = 1.7mmツェナーダイオード830 mW、BZT52Hシリーズ、Nexperia. 汎用ツェナーダイオード(最大830 mW) ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-123F
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(10個)
￥129
税込￥142
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 150 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 310 mW標準ターンオフ遅延時間 = 48 nsPチャンネルMOSFET、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(100個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 320 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 320 mW標準ターンオン遅延時間 = 2 nsデュアルNチャンネルMOSFET、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(40個)
￥1,298
税込￥1,428
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.6V最低ゲートしきい値電圧 = 0.48V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(50個)
￥1,098
税込￥1,208
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm汎用PNPトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(200個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2最大逆電圧 = 40Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = ショットキー最大順方向降下電圧 = 1V最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1.1mm寸法 = 2.2 x 1.35 x 1.1mmショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(100個)
￥929
税込￥1,022
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(150個)
￥1,998
税込￥2,198
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コンプレックスアレイ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-457 (SC-74)ピン数 = 6ESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4ESD電圧 = 8kVPRTR5V0Uシリーズ、超低静電容量レールツーレールESD保護ダイオード、Nexperia. 超低静電容量レールツーレール静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められています。 このデバイスは、高速データラインや高周波信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード最大クランピング電圧 = 60V最小ブレークダウン電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 36Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 160W最大ピークパルス電流 = 2.5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mmPESDxxxS2シリーズ、低静電容量単方向二重ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量単方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージSOT23 (TO-236AB)に収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.1mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200mAショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥739
税込￥813
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.45 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.7mm高電圧トランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1枚(25個)
￥1,998
税込￥2,198
7日以内出荷
仕様最大連続 順方向電流 = 70mA1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 70V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123Fダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 410mV長さ = 2.7mm幅 = 1.7mm高さ = 1.2mm動作温度 Max = +150 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥999
税込￥1,099
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 300Vパッケージタイプ = SC-90最大順方向降下電圧 = 1.1V最大ダイオードキャパシタンス = 2pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 0.8mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
￥1,898
税込￥2,088
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 350 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 440 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
￥1,898
税込￥2,088
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 490mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -55 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,898
税込￥2,088
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123Wダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 540mV長さ = 2.8mm幅 = 1.9mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -55 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 360mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,798
税込￥1,978
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 18V最小ブレークダウン電圧 = 5V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 260W最大ピークパルス電流 = 20AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESD5Zxシリーズ、低静電容量単方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量単方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、超小型のフラットリード表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージSOD523 (SC-79)に収められており、1本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥919
税込￥1,011
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 320mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mmピーク逆電流 = 2μAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,098
税込￥1,208
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 850mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mmピーク逆回復時間 = 5.9nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2.5Aショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥659
税込￥725
7日以内出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190ns高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 2 V74HC1G / 74HC2Gシリーズ、Nexperia. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(30個)
￥349
税込￥384
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コンプレックスアレイ最小ブレークダウン電圧 = 6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-143B最大逆スタンドオフ電圧 = 5.5Vピン数 = 4ESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mmPRTR5V0Uシリーズ、超低静電容量レールツーレールESD保護ダイオード、Nexperia. 超低静電容量レールツーレール静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められています。 このデバイスは、高速データラインや高周波信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥1,098
税込￥1,208
翌々日出荷
仕様最大連続 順方向電流 = 2A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 620mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 9Aショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,198
税込￥2,418
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.8V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 49 nsNチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥629
税込￥692
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥109
税込￥120
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 3.7mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm標準電圧温度係数 = 11.4mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。
1袋(20個)
￥249
税込￥274
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA長さ = 3.7mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥129
税込￥142
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥209
税込￥230
翌々日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 75V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 255Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥319
税込￥351
7日以内出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 33V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥219
税込￥241
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm標準電圧温度係数 = -2.5mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥199
税込￥219
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥599
税込￥659
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥449
税込￥494
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥819
税込￥901
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥559
税込￥615
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥819
税込￥901
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,198
税込￥1,318
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 850 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥399
税込￥439
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