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Nexperia ツェナーダイオード, 15V, 1.3 W, 2-Pin DO-41 nexperiaNexperia ツェナーダイオード, 15V, 1.3 W, 2-Pin DO-41nexperia
1,198税込1,318
1袋(50個)
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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 15mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP PNP トランジスタ, 45 V, 1 A, 4-Pin UPAK nexperiaNXP PNP トランジスタ, 45 V, 1 A, 4-Pin UPAKnexperia
919税込1,011
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = UPAK実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.3 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 145 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 2.6mm汎用PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
519税込571
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
539税込593
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード, シリーズ, 225mA, 250V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia スイッチングダイオード, シリーズ, 225mA, 250V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
369税込406
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7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 250V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 50ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 12 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 12 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
349税込384
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
499税込549
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin UMT nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin UMTnexperia
379税込417
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = UMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
569税込626
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
629税込692
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
479税込527
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
399税込439
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード, 200mA, 30V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード, 200mA, 30V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
279税込307
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード, シリーズ, 200mA, 30V, 3-Pin SOT-323 (SC-70) nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード, シリーズ, 200mA, 30V, 3-Pin SOT-323 (SC-70)nexperia
519税込571
1袋(50個)
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仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin UMT nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin UMTnexperia
229税込252
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = UMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1 x 2.2 x 1.35mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 250 V, 50 mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 250 V, 50 mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
349税込384
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 60 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm高電圧トランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Quad XOR Logic Gate 2-Input CMOS SOIC14 nexperiaQuad XOR Logic Gate 2-Input CMOS SOIC14nexperia
1,498税込1,648
1本(57個)
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仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOピン数 = 14動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃長さ = 8.75mm幅 = 4mm高さ = 1.45mm寸法 = 8.75 x 4 x 1.45RoHS指令(10物質対応)対応
NXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V, 16-Pin SOIC nexperiaNXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V, 16-Pin SOICnexperia
50税込55
1個
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仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル, シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±2.5V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3最大パワー消費 = 500 mW74HCファミリデコーダ / マルチプレクサ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのデコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、及びアナログスイッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP ABT バッファ 非反転, 14ピン SOIC nexperiaNXP ABT バッファ 非反転, 14ピン SOICnexperia
78税込86
1個
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仕様ロジックファミリー = ABTロジック機能 = バッファ, ラインドライバチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 64mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.6 ns @ 5 V寸法 = 8.75 x 4 x 1.45mm高さ = 1.45mm74ABTファミリ、Nexperia. アドバンスドBiCMOSテクノロジロジック 動作電圧: 4.5 → 5.0 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力TTLRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード, コモンアノード, 200mA, 30V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード, コモンアノード, 200mA, 30V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
129税込142
1袋(10個)
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仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 小信号 ダイオード, 200mA, 50V, 2-Pin DO-34 nexperiaNexperia 小信号 ダイオード, 200mA, 50V, 2-Pin DO-34nexperia
379税込417
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 900mV長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 15V, 500 mW, 2-Pin SOD27 (DO-35) nexperiaNexperia ツェナーダイオード, 15V, 500 mW, 2-Pin SOD27 (DO-35)nexperia(1件のレビュー)
449税込494
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD27 (DO-35)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±2 %, ±5 %ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 200 Ω @ 1 mA長さ = 4.25mm直径 = 1.85mm寸法 = 1.85 (Dia.) x 4.25mmパワー消費 = 500mWツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 2チャンネル 双方向 ESD保護ダイオード, 230W, 41V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia 2チャンネル 双方向 ESD保護ダイオード, 230W, 41V, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
58,980税込64,878
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様方向性タイプ = 相方向最大クランピング電圧 = 41V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 230W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
NXP スイッチングダイオード, 200mA, 75V, 2-Pin SOD-323,エレメント数 1, シングル nexperiaNXP スイッチングダイオード, 200mA, 75V, 2-Pin SOD-323,エレメント数 1, シングルnexperia
17,980税込19,778
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 30 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 30 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
129税込142
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 190 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 190 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 (TO-236AB)nexperia
159税込175
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 830 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 25 pF @ 10 VNチャンネルMOSFET、100 V以上、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ, 60 V, 600 mA, 4-Pin SOT-223 (SC-73) nexperiaNexperia PNP トランジスタ, 60 V, 600 mA, 4-Pin SOT-223 (SC-73)nexperia
339税込373
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.15 W最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V汎用PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 4-Pin SOT-223 (SC-73) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 4-Pin SOT-223 (SC-73)nexperia
70税込77
1個
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.15 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃汎用NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V, 16-Pin SOIC nexperiaNXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V, 16-Pin SOICnexperia
1,698税込1,868
1本(50個)
7日以内出荷
仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル, シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±2.5V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3最大パワー消費 = 500 mW74HCファミリデコーダ / マルチプレクサ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのデコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、及びアナログスイッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 HCシリーズ デュアル モノステーブルマルチバイブレータ, 5.2mA, 2~6 V, 16-Pin SOIC nexperiaNXP 74 HCシリーズ デュアル モノステーブルマルチバイブレータ, 5.2mA, 2~6 V, 16-Pin SOICnexperia
1,498税込1,648
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仕様ロジックファミリー = HCロジック機能 = モノステーブルマルチバイブレータ1チップ当たりのエレメント数 = 2高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA最小パルス幅 = 17 ns最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 255 ns @ 2 V最大静止電流 = 0.008mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 4 x 1.45mm高さ = 1.45mm長さ = 10mm動作供給電圧 Min = 2 V74HCファミリ、Nexperia. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 HCシリーズ フリップフロップIC 2~6 V, 14-Pin SOIC nexperiaNXP 74 HCシリーズ フリップフロップIC 2~6 V, 14-Pin SOICnexperia
1,298税込1,428
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仕様ロジックファミリー = HCロジック機能 = D タイプ入力タイプ = シングルエンド出力信号タイプ = 差動トリガータイプ = 正エッジ極性 = 反転, 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14セット/リセット = Yes1チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 265 ns @ 2 V寸法 = 8.75 x 4 x 1.45mm動作供給電圧 Min = 2 V74HCファミリフリップフロップ / ラッチ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのフリップフロップ / ラッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 HCシリーズ ロジックゲート, 5.2mA, 2~6 V, 14-Pin SOIC 2-入力 nexperiaNXP 74 HCシリーズ ロジックゲート, 5.2mA, 2~6 V, 14-Pin SOIC 2-入力nexperia
1,498税込1,648
1本(57個)
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仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.45mm74HCファミリロジックゲート、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICの標準ロジックゲート製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP Nチャンネル MOSFET, 60 V, 360 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 nexperiaNXP Nチャンネル MOSFET, 60 V, 360 mA, 3 ピン パッケージSOT-23nexperia
12,980税込14,278
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7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 36V, 500 mW, 2-Pin MiniMELF nexperiaNexperia ツェナーダイオード, 36V, 500 mW, 2-Pin MiniMELFnexperia
339税込373
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 3.7mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード, 2.4V, 500 mW, 2-Pin MiniMELF nexperiaNexperia ツェナーダイオード, 2.4V, 500 mW, 2-Pin MiniMELFnexperia
299税込329
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6日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 3.7mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。RoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ バッファ / ラインドライバ, 3ステート 非反転, 1.65~5.5 V, 5-Pin TSSOP nexperiaNXP 74 LVCシリーズ バッファ / ラインドライバ, 3ステート 非反転, 1.65~5.5 V, 5-Pin TSSOPnexperia
399税込439
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仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = バッファ, ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.3 ns @ 2.7 V寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ フリップフロップIC 1.65~5.5 V, 8-Pin VSSOP nexperiaNXP 74 LVCシリーズ フリップフロップIC 1.65~5.5 V, 8-Pin VSSOPnexperia
379税込417
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5日以内出荷
仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = D タイプ入力タイプ = シングルエンド出力信号タイプ = 差動トリガータイプ = 正エッジ極性 = 反転, 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VSSOPピン数 = 8セット/リセット = Yes1チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 3.5 ns @ 3.3 V寸法 = 2.1 x 2.4 x 0.85mm動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ バッファ / ラインドライバ, 3ステート 非反転, 1.65~5.5 V, 5-Pin TSSOP nexperiaNXP 74 LVCシリーズ バッファ / ラインドライバ, 3ステート 非反転, 1.65~5.5 V, 5-Pin TSSOPnexperia
389税込428
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7日以内出荷
仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = バッファ, ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.5 ns @ 2.7 V寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74LVC1GX04GW 水晶発振器ドライバ nexperiaNXP 74LVC1GX04GW 水晶発振器ドライバnexperia
519税込571
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仕様ロジックファミリー = 74LVC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 6寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm動作温度 Max = +125 ℃動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ インバータ(NOTゲート), 32mA, 1.65~5.5 V, 5-Pin TSSOP nexperiaNXP 74 LVCシリーズ インバータ(NOTゲート), 32mA, 1.65~5.5 V, 5-Pin TSSOPnexperia
379税込417
1袋(50個)
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仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.2 ns @ 5 V, 3 ns @ 3.3 V, 3.2 ns @ 2.7 V高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Max = 5.5 V74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
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