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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = UMDツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA長さ = 1.8mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード300 mW、BZX384シリーズ、Nexperia. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX384-B)、約5 % (BZX384-C) 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76) RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
559 税込615
5日以内出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 10V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 8Ω最大逆漏れ電流 = 200nA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,798 税込1,978
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 26V最小ブレークダウン電圧 = 5.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMD最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 500W最大ピークパルス電流 = 18AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mmPESDxxxL1シリーズ、低静電容量双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、1本の信号ラインをESDやその他の過渡現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
569 税込626
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
599 税込659
当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
879 税込967
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 70V最小ブレークダウン電圧 = 25.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMD最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 50nAPESDxxxL1シリーズ、低静電容量双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、1本の信号ラインをESDやその他の過渡現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
439 税込483
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 2.7mm幅 = 1.7mm高さ = 1.2mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
929 税込1,022
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
399 税込439
5日以内出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 51V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 4mA最大ツェナーインピーダンス = 125Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm標準電圧温度係数 = 48.65mV/℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,698 税込1,868
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 44V最小ブレークダウン電圧 = 17.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 5mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
639 税込703
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 40V最小ブレークダウン電圧 = 17.6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIA最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 160W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 50nAPESDxxxS1シリーズ、過渡電圧抑制用単方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 単方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、1本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
399 税込439
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 41V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 230W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
719 税込791
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
999 税込1,099
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
549 税込604
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 85V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 3μs寸法 = 1 x 2.2 x 1.35mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
739 税込813
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,298 税込1,428
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm寸法 = 0.65 x 1.25 x 0.85mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
849 税込934
5日以内出荷

仕様最大順方向電流 = 250mA実装タイプ = スルーホール最大逆電圧 = 125Vパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.04 x 1.6 x 1.6mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
599 税込659
6日以内出荷

仕様最大連続 順方向電流 = 120mA1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
459 税込505
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
549 税込604
6日以内出荷

仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 35V最小ブレークダウン電圧 = 14.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIA最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 180W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.25mmPESDxxxS1シリーズ、過渡電圧抑制用単方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 単方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、1本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
539 税込593
5日以内出荷

仕様方向性タイプ = 相方向最大クランピング電圧 = 37V最小ブレークダウン電圧 = 14.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMD最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 50nAPESDxxxL1シリーズ、低静電容量双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、1本の信号ラインをESDやその他の過渡現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
579 税込637
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 37V最小ブレークダウン電圧 = 14.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃高さ = 1mmPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
669 税込736
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 45mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,098 税込1,208
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 45mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 2μA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
899 税込989
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
759 税込835
6日以内出荷

仕様最大連続 順方向電流 = 500mA1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
549 税込604
5日以内出荷

仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Max = +125 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
639 税込703
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.7mm幅 = 2.7mm高さ = 1.2mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
589 税込648
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
649 税込714
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 640mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
379 税込417
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 640mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Max = +150 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
579 税込637
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
409 税込450
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
689 税込758
6日以内出荷

仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
689 税込758
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5Aショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
629 税込692
6日以内出荷

仕様最大連続 順方向電流 = 2A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 10V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
679 税込747
5日以内出荷

仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 6Aショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
649 税込714
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323Fダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 0.8mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
649 税込714
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5Aショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
369 税込406
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