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仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.2 ns @ 5 V, 3 ns @ 3.3 V, 3.2 ns @ 2.7 V高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Max = 5.5 V74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
399 税込439
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = コンプレックスアレイ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃幅 = 1.7mmシリアルデータバスESD保護. 静電気放電(ESD)保護対象: DVI、HDMI、IEEE1394、USB、イーサネット、ビデオライン。. 超低静電容量 2 / 4線ESD保護 IEC61000-4-2レベル4規格に適合 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
499 税込549
7日以内出荷

仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
379 税込417
5日以内出荷

仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
539 税込593
5日以内出荷

仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.3 ns @ 2.7 V高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
419 税込461
7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
889 税込978
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP Semiconductors RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
999 税込1,099
5日以内出荷

仕様最大順方向電流 = 250mA実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
659 税込725
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm幅 = 1.85mmツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
499 税込549
6日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-143B実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = カレントミラー最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 2幅 = 1.4mm小信号NPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 6動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm寸法 = 1 x 2.2 x 1.35mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
979 税込1,077
5日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 4チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.8 W標準ターンオフ遅延時間 = 20nSNチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
549 税込604
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 33V最小ブレークダウン電圧 = 7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMD最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 500W最大ピークパルス電流 = 15AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 1μAPESDxxxL1シリーズ、低静電容量双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、1本の信号ラインをESDやその他の過渡現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
659 税込725
5日以内出荷

仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 20V最小ブレークダウン電圧 = 5.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 330W最大ピークパルス電流 = 18AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 0.85mmPESDxxxS1シリーズ、過渡電圧抑制用単方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 単方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、1本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
679 税込747
6日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.05 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 0.85V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 417 mW標準ターンオフ遅延時間 = 45 nsNチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
799 税込879
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = コモンアノード最大クランピング電圧 = 12V最小ブレークダウン電圧 = 5.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 6ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 20AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 800nAESD (静電気放電)保護単方向ダイオードアレイ、PESDシリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
899 税込989
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = UMDツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA長さ = 1.8mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード300 mW、BZX384シリーズ、Nexperia. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX384-B)、約5 % (BZX384-C) 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76) RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
629 税込692
5日以内出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 10V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 8Ω最大逆漏れ電流 = 200nA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
2,998 税込3,298
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 26V最小ブレークダウン電圧 = 5.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMD最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 500W最大ピークパルス電流 = 18AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mmPESDxxxL1シリーズ、低静電容量双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、1本の信号ラインをESDやその他の過渡現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
619 税込681
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
1,198 税込1,318
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 70V最小ブレークダウン電圧 = 25.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMD最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 50nAPESDxxxL1シリーズ、低静電容量双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、1本の信号ラインをESDやその他の過渡現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
529 税込582
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 70V最小ブレークダウン電圧 = 25.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMD最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 160W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 5mAPESD1LIN、LINバスESD保護ダイオード、Nexperia. PESD1LINは、小型のSOD323 (SC-76) SMD用プラスチックパッケージに収められており、1つの車載LINバスラインを静電気放電(ESD)やその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
599 税込659
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123Fダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 2.7mm幅 = 1.7mm高さ = 1.2mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
939 税込1,033
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 70V最小ブレークダウン電圧 = 25.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 1.4mmPESD1CAN、CANバスESD保護ダイオード、Nexperia. PESD1CANは、小型のSOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、2つの車載コントローラエリアネットワーク(CAN)バスラインを静電気放電(ESD)やその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
669 税込736
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
459 税込505
5日以内出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 51V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 4mA最大ツェナーインピーダンス = 125Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm標準電圧温度係数 = 48.65mV/℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,298 税込1,428
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 14V最小ブレークダウン電圧 = 5.5V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 130W最大ピークパルス電流 = 12AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESDxxxS1シリーズ、過渡電圧抑制用双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 双方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、1本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
619 税込681
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 44V最小ブレークダウン電圧 = 17.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 5mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
799 税込879
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 40V最小ブレークダウン電圧 = 17.6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIA最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 160W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 50nAPESDxxxS1シリーズ、過渡電圧抑制用単方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 単方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、1本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
399 税込439
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 41V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 230W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
819 税込901
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,198 税込1,318
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
699 税込769
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 85V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 3μs寸法 = 1 x 2.2 x 1.35mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
999 税込1,099
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
989 税込1,088
6日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm寸法 = 0.65 x 1.25 x 0.85mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
679 税込747
5日以内出荷

仕様最大連続 順方向電流 = 120mA1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIAダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
539 税込593
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
699 税込769
6日以内出荷

仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 35V最小ブレークダウン電圧 = 14.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = I-IGIA最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 180W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.25mmPESDxxxS1シリーズ、過渡電圧抑制用単方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 単方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、1本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
539 税込593
5日以内出荷

仕様方向性タイプ = 相方向最大クランピング電圧 = 37V最小ブレークダウン電圧 = 14.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMD最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 50nAPESDxxxL1シリーズ、低静電容量双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、1本の信号ラインをESDやその他の過渡現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
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639 税込703
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仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 37V最小ブレークダウン電圧 = 14.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃高さ = 1mmPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
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769 税込846
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