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チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 115 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-323実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.35mm高さ = 1mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 850 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 13V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm標準電圧温度係数 = 7 → 11mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.65mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード300 mW、BZT52Cシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-523

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 100V最小ブレークダウン電圧 = 77.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 70Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 3.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.6 x 2.92 x 2.1mm高さ = 2.1mm過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Diodes Inc

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmシングルチャンネルデータライン保護TVSダイオード、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 750 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 115 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 0.85mm高さ = 0.8mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

DiodesZetex 3 個の独立 PWM チャンネルリニア LED ドライバは、3 チャンネルリニア LED ドライバです。各チャンネルに対して、独立した PWM 調光及び電流設定制御機能を備えています。このデバイスは、接続用途、商業用途、産業用途、RGB LED 照明用途向けに設計されています。スタンバイ電源モードの自動開始および終了 高速 PWM 調光により、e フリッカーを排除しています 過熱保護( otp )熱フォールドバック、熱シャットダウン、自動熱回復

DiodesZetex 60 V バックブースト LED コントローラが高電流 LED バックブーストトポロジコントローラを駆動し、直列接続 LED によって効率的に電流を制御できます。60V の性能があるため、幅広い用途に使用できます。16 ピンで、DC 制御及び高周波 PWM 制御により高精度な調光を実現します。動作周波数：最大 1 MHz アナログ調光範囲： 10 → 100 %

DiodesZetex AL8116 は、0 → 10 V dc リニア調光、0 → 100 % デューティサイクルパルス幅変調信号、シンプルな抵抗電位差を含む、3 種類の調光タイプ入力を変換できる柔軟な調光信号インターフェイスコントローラですチップの過熱保護機能を内蔵しています 低動作電流

DiodesZetex 高効率 40 V 車載グレードバック LED ドライバは、ヒステリシスモード DC/DC ステップダウン LED ドライバで、LED 電圧よりも高い電圧源から 1 つ又は複数の直列接続 LED を効率的に駆動するように設計されています。外部で調整可能な出力電流は、MSOP 8EP パッケージで最大 1.5 A です。スイッチング周波数: 最大1MHz LED 短絡保護

DiodesZetex 高効率 40 V 車載グレードバック LED ドライバは、ヒステリシスモード DC/DC ステップダウン LED ドライバで、LED 電圧よりも高い電圧源から 1 つ又は複数の直列接続 LED を効率的に駆動するように設計されています。外部で調整可能な出力電流は、MSOP 8EP パッケージで最大 1.5 A です。この製品には、電源スイッチとハイサイド出力電流検出