4ページ目: DiodesZetexのすべての商品

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SOD-323最大連続 順方向電流 1Aピーク逆繰返し電圧 30Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキーダイオードダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 550mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 5.5ADiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SOD-123最大連続 順方向電流 1Aピーク逆繰返し電圧 30Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 420mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 12ADiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFN最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = PowerDI 123最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50ADiodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SOD-123最大連続 順方向電流 350mAピーク逆繰返し電圧 40Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 600mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーピーク逆回復時間 10nsピーク非繰返し順方向サージ電流 1.5ADiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SOD-123最大連続 順方向電流 350mAピーク逆繰返し電圧 30Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 600mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーピーク逆回復時間 10nsピーク非繰返し順方向サージ電流 1.5ADiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 650mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4Aショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123最大連続 順方向電流 = 150mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 750mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 15mAピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 1nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバ回路数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniDIP SMDピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 4.9 x 4 x 2.7mm幅 = 4mmUL、E94661. 基板表面実装用ブリッジ整流器、HDシリーズ、Diodes Inc. 低順方向電圧降下 自動アセンブリに最適

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniDIP SMDピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 4.9 x 4 x 2.7mm幅 = 4mmUL、E94661. 基板表面実装用ブリッジ整流器、HDシリーズ、Diodes Inc. 低順方向電圧降下 自動アセンブリに最適

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniDIP SMDピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 4.9mm幅 = 4mmUL、E94661. 基板表面実装用ブリッジ整流器、HDシリーズ、Diodes Inc. 低順方向電圧降下 自動アセンブリに最適

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniDIP SMDピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 4.9 x 4 x 2.7mm幅 = 4mmUL、E94661. 基板表面実装用ブリッジ整流器、HDシリーズ、Diodes Inc. 低順方向電圧降下 自動アセンブリに最適

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバ回路数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = オープンドレイン極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DF-Mピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -65 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.4mm高さ = 3.4mmUL、E94661. 基板実装用ブリッジ整流器、DFxxMシリーズ、Diodes Inc. ガラス皮膜ダイ構造 低順方向電圧降下 高電流に対応

ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DF-Mピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -65 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.4mm高さ = 3.4mmUL、E94661. 基板実装用ブリッジ整流器、DFxxMシリーズ、Diodes Inc. ガラス皮膜ダイ構造 低順方向電圧降下 高電流に対応

ブリッジタイプ = 単相ピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DF-Mピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -65 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.4mm幅 = 6.5mmUL、E94661. 基板実装用ブリッジ整流器、DFxxMシリーズ、Diodes Inc. ガラス皮膜ダイ構造 低順方向電圧降下 高電流に対応

公称電圧 = 1.24 - 18Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±0.5 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA入力電圧 Max = 20 V出力電圧 Min = 1.24 V出力電圧 Max = 18 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.24 - 18Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA入力電圧 Max = 20 V出力電圧 Min = 1.24 V出力電圧 Max = 18 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm高さ = 1.02mm可変電圧リファレンス、Diodes Inc

センサータイプ = ホール効果センサ実装タイプ = 表面実装マグネットタイプ = オムニポーラ動作供給電圧 Max = 5.5 V動作供給電圧 Min = 2.5 Vパッケージタイプ = SC-59ピン数 = 3動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃ホール効果スイッチ及びラッチ、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5 - 36Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±0.5 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 100mA入力電圧 Max = 40 V出力電圧 Min = 2.5 V出力電圧 Max = 36 Vピン数 = 3寸法 = 3 x 1.4 x 1mm幅 = 1.4mm可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 4.096Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 固定立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA出力電圧 Min = 4.05 V出力電圧 Max = 4.14 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm4.096 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.225Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 固定立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 12mA出力電圧 Min = 1.213 V出力電圧 Max = 1.237 Vピン数 = 3ロードレギュレーション = 10 mV寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 固定立上がり精度 = ±0.5 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA出力電圧 Min = 1.196 V出力電圧 Max = 1.244 Vピン数 = 3ロードレギュレーション = 10 mV寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm高さ = 1.02mm1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 固定立上がり精度 = ±0.5 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA出力電圧 Min = 1.214 V出力電圧 Max = 1.226 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.225Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 固定立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 12mAピン数 = 3ロードレギュレーション = 8 mV寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 固定立上がり精度 = ±2.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 5mA出力電圧 Min = 2.45 V出力電圧 Max = 2.55 Vピン数 = 3寸法 = 3.05 x 1.4 x 1mm幅 = 1.4mm2.5 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 100mA入力電圧 Max = 20 V出力電圧 Min = 2.475 V出力電圧 Max = 20 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm可変電圧リファレンス、Diodes Inc

出力電流 Max = 50mA出力電圧 = 5 Vラインレギュレーション = 15 mVロードレギュレーション = 40 mV実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23mAピン数 = 3出力タイプ = 固定W寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm高さ = 1.02mm幅 = 1.4mmZMRシリーズリニア電圧レギュレータ、Diodes Inc. Diodes Inc の ZMR シリーズ正電圧レギュレータは、固定電圧調整向けに設計されています。 この堅牢な電圧レギュレータは、内部電流制限とサーマルシャットダウン機能を特長としています。 Diodes Inc のリニアレギュレータは、低電力マイクロコントローラでの使用や、DVD、CD-ROM、セットトップボックス、テレビ、モニタ、セキュリティシステムなどのエレクトロニクス分野に最適です。. 3端子正レギュレータ SOT23小型パッケージ 出力電圧: 2.5 V、3.3 V又は5 V 出力電流: 50 mA 超低静止電流(2.5 V @ 30 μA) 内部短絡保護

ロジックタイプ = XOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.35mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = AHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 1.7mm74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = AHC入力タイプ = シュミットトリガ動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.5ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 4mA幅 = 1.7mm74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = AHC入力タイプ = シュミットトリガ動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 1.35mm74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.7mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.7mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.35mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

標準シングル供給電圧 = 2.5 → 20 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 3.05 x 1.4 x 1mm高さ = 1mm長さ = 3.05mm幅 = 1.4mm電流検出アンプ、DiodesZetex