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標準シングル供給電圧 = 2.5 → 20 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 3.05 x 1.4 x 1mm高さ = 1mm長さ = 3.05mm幅 = 1.4mm電流検出アンプ、DiodesZetex

電流検出アンプ、DiodesZetex

出力電流 = 18mA入力電圧 = 5 → 65 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM用途 = 自動車用照明パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16出力電圧 Max = 65V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 300mA中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1.3A入力電圧 = 6 → 36 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM用途 = LED照明パッケージタイプ = MSOPピン数 = 8出力電圧 Max = 36V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1A中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1A入力電圧 = 8 → 30 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = DC 電圧， PWM最大出力パワー = 3W用途 = LED照明パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 5定格電流 = 0 → 1000mA中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1.25AAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM最大出力パワー = 1Wパッケージタイプ = TSOT-25ピン数 = 5出力電圧 Max = 65V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1.25A電力消失 = 1W自動車規格 = AEC-Q100中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1mA入力電圧 = 7 → 30 VAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM最大出力パワー = 1Wパッケージタイプ = TSOT-23-5ピン数 = 5出力電圧 Max = 30V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1.25A電力消失 = 1W自動車規格 = AEC-Q100中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1.25A入力電圧 = 6 → 60 VAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = DC 電圧， PWM最大出力パワー = 1W用途 = 自動車用照明、非常灯、産業用照明、住居照明、SELV照明、標識照明パッケージタイプ = TSOT-25ピン数 = 5出力電圧 Max = 60V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1A電力消失 = 1W自動車規格 = AEC-Q100中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 80 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 500トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 45 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.5 x 2.5 x 1.5mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.9 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 90 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.3 V寸法 = 4.6 x 2.6 x 1.17mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 600 mW最小DC電流ゲイン = 250トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 130 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 5000最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.25 V最大コレクタカットオフ電流 = 100nA寸法 = 4.77 x 2.41 x 4.01mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 Vパッケージタイプ = SOT-26実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2.1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 130 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -400 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1000 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 900 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 5000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.65 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.96 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA幅 = 1.4mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 175 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 310 mW最小DC電流ゲイン = 250トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2.75 W最小DC電流ゲイン = 400， 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mmDiodes Inc デュアル NPN/PNP トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 3 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 130 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 600 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 175 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 600 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 125 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 125 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 155 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1 x 2.9 x 1.3mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 806 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 160 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 80， 60トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc