「ピン 1.3mm」の検索結果

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.8mm。高さ = 1.3mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V。最大パワー消費 = 1.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc

コンパレータタイプ = 汎用。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。出力タイプ = オープンコレクタ。回路数 = 1。標準応答時間 = 1.3μs。ピン数 = 5。標準シングル供給電圧 = 2 → 36 V。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm。長さ = 3.1mm。幅 = 1.7mm。高さ = 1.3mm。標準デュアル供給電圧 = ±1 to ±18V。シングルコンパレータ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 125 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 125 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 155 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1 x 2.9 x 1.3mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

ロジックタイプ = インバータ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5ns。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = LVC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm。動作供給電圧 Min = 1.65 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 60Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.65mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード300 mW、BZT52Cシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 2.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 7%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 20μA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.65mm。標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃。ツェナーダイオード300 mW、BZT52Cシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 95Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.65mm。標準電圧温度係数 = -3.5 → 0mV/℃。ツェナーダイオード300 mW、BZT52Cシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-523

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.9 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 90 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.3 V。寸法 = 4.6 x 2.6 x 1.17mm。Diodes Inc ダーリントントランジスタ

最大順方向電流 = 1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = SMB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。最大ダイオードキャパシタンス = 27pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.57mm。幅 = 3.94mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.3mm。整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

最大順方向電流 = 1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 600V。パッケージタイプ = SMB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 10pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.57mm。幅 = 3.94mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.3mm。整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 7.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。標準電圧温度係数 = 2.5 → 5.3mV/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123