「ma-150」の検索結果

最大順方向電流 = 250mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 150V。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 5pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 150 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 806 mW。最小DC電流ゲイン = 50。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123。最大連続 順方向電流 = 150mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 750mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

最大順方向電流 = 150mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 V。パッケージタイプ = SOT-26。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 60。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = -160 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 60。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -160 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100Ω。最大逆漏れ電流 = 150μA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100Ω。最大逆漏れ電流 = 150μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、DDZ9シリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、DDZxxxxシリーズ、Diodes Inc. 精密ツェナーダイオード(500 mW) ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 50mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.6 x 2.92 x 2.1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード1 W、SMAZシリーズ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 39V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 130Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 60Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.65mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード300 mW、BZT52Cシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-523

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 110。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 2.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 350 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 7%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 20μA。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード350 mW、BZX84Cシリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧公差: 6 % 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 350 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 480Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード350 mW、BZX84Cシリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧公差: 6 % 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 8.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 480Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123