「ケージ」の検索結果

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 49mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-41。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 750mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.1mm。高さ = 2.3mm。QFETR NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 104 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 48 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

標準ツェナー電圧 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 1。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 220mA。最大ツェナーインピーダンス 1Ω。最大逆漏れ電流 1μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Min -65 ℃。ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

ダイオード構成 シングルV。実装タイプ スルーホール。最大パワー消費 3 W。パッケージタイプ DO-41。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 66.9mA。最大ツェナーインピーダンス 250 Ω@ mA。最大逆漏れ電流 5 μA@ V。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。動作温度 Max +200 ℃。ツェナーダイオード3 W、1N59xxBシリーズSurmetic、ON Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = -5V。ラインレギュレーション = 150 mV。ロードレギュレーション = 60 mV。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。幅 = 4.19mm。MC79L00リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC79L00 シリーズリニア電圧レギュレータは、負電圧レギュレータです。 このファミリの製品の出力電圧は固定で、5 V、12 V又は15 Vです。 外部デバイスを必要とせず、100 mAの出力電流を必要とする用途に適しています。 ON SemiconductorのMC79L00シリーズは、短絡電流制限機能や熱過負荷保護を内蔵した、強固な集積回路(IC)です。 主な用途には、オンカード調整や、小さな出力電流の負電圧レベルが要求される場合などがあります。 外部デバイスがなくても動作します。. 鉛フリーパッケージを用意

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準デュアル供給電圧 = ±3 → ±18V。標準スルーレート = 10V/μs。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 104 dB。幅 = 4mm。LM201A(V) / LM301A、非補償オペアンプ、ON Semiconductor. 低入力オフセット電流: 20 nA 柔軟性をもたらす外付け周波数補償 クラスAB出力が優れた直線性を実現 ショート出力保護

コンパレータタイプ = 汎用。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。出力タイプ = オープンコレクタ。回路数 = 2。標準応答時間 = 1.3μs。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 28 V。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。標準電圧ゲイン = 106.02 dB。コンパレータ、ON Semiconductor

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ スイッチング。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 75ns。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 30A。ON Semi UF4001-UF4007 高速整流器. ON Semiconductor UF4001 UF4007 シリーズは、DO-41(DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1Aガラス不動態化接合整流器は、信頼性の高い汎用部品で、さまざまな用途に使用できます。. 特長： 低い順方向電圧降下 高サージ電流能力 大電流対応 ガラス不動態化接合整流器とは? これらのデバイスは、ダイオードの周囲に非活性化ガラスの層を備えています。ガラス不動態化接合整流器は、多くの場合、高い逆電圧抵抗を実現し、時に漏洩を軽減することができます。 動作ジャンクション温度はどのくらいですか? -65 +150 最大繰り返しの逆電圧は何ですか? UF4001 50 UF4002 100 UF4003 200 UF4004 400 UF4005 600 UF4006 800 UF4007 1000 V

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。直径 = 1.53mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 120， 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 10.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 17mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 51V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = DO-15。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 25mA。最大ツェナーインピーダンス = 27Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 366 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、ON Semiconductor. モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 350 mW。最小DC電流ゲイン = 50。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = TO-92。基準タイプ = プログラマブル。立上がり精度 = ±4 %。実装タイプ = スルーホール。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 37 V。出力電圧 Min = 2.495 V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。ラインレギュレーション = 53 mV。ロードレギュレーション = 25 mV。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。電圧リファレンス、調節可能、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。最小DC電流ゲイン = 200， 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

ダイオード構成 シングル。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 1.1V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピン数 2V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

標準ツェナー電圧 = 8.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 200 Ω @ 0.25 mA， 8 Ω @ 20 mA。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃mA。便利な表面実装プラスチック SOD-123 パッケージに収められた 3 つのツェナーダイオード完全シリーズ。これらのデバイスは、リードレス 34 パッケージスタイルの便利な代替品となります。FR-4 又は FR-5 ボードの定格 503 mW 広いツェナー逆電圧範囲： 2.4 → 110 V 最適な自動基板アセンブリ用のパッケージです 高密度用途向けの小型パッケージサイズ 汎用、中電流 機械的特性： ケース：自由に変形できる熱硬化性プラスチックケース 仕上げ：耐腐食性仕上げ、簡単にはんだ付け可能 はんだ付け目的での最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) 極性：カソードは極性バンドで表示 鉛フリーパッケージを用意

標準ツェナー電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30 Ω， 1200 Ω。最大逆漏れ電流 = 100μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃V。便利な表面実装プラスチック SOD-123 パッケージに収められた 3 つのツェナーダイオード完全シリーズ。これらのデバイスは、リードレス 34 パッケージスタイルの便利な代替品となります。FR-4 又は FR-5 ボードの定格 500 mW 広いツェナー逆電圧範囲： 2.4 → 110 V 最適な自動基板アセンブリ用のパッケージです 高密度用途向けの小型パッケージサイズ 汎用、中電流 人体モデルごとにクラス 3 の ESD 定格( 16 kV 超 ケース：無骨、転写成型、熱硬化性プラスチックケース 仕上げ：耐腐食性仕上げで、簡単にはんだ付けできます はんだ付け目的での最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) 極性：カソードは極性バンドで表示 鉛フリーパッケージを用意 PPAP対応 品番の先頭が「 SZ 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件を必要とする車載用途やその他の用途向けです

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 7μs。標準上昇時間 = 7μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = ±12°。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = T-1 3/4。寸法 = 6.1 Dia. x 8.77mm。コレクター電流 = 16mA。感度スペクトルレンジ = 880 nmnm。飽和電圧 = 0.4V。QSD122 、 QSD123 、 QSD124 は、赤外線透明、黒色 T-1 3/4 パッケージに収められたシリコンフォトトランジスタです。NPNシリコンフォトトランジスタ パッケージタイプ： T-1 3/4 ノッチ付きエミッタ： QED12X/QED22X/QED23X 狭い受信角度： 24 ° C 昼光フィルタ パッケージの材質と色: 黒エポキシ 高感度 用途: この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 8μs。標準上昇時間 = 8μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = 25°。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 側方監視。寸法 = 4.44 x 2.54 x 5.08mm。コレクター電流 = 1.50mA。感度スペクトルレンジ = 880 nmnm。幅 = 2.54mm。QSE113 / QSE114シリーズ赤外線フォトトランジスタ. Fairchild SemiconductorのQSE113 / QSE114シリーズには、シリコン赤外線フォトトランジスタが各種揃っています。 各製品は、サイドルッキング(SL)スルーホールパッケージに収められています。 各製品の黒色のプラスチックパッケージは、広角で赤外線を透過します。. QSE113 / QSE114赤外線フォトトランジスタの特長: NPNシリコン赤外線フォトトランジスタ パッケージタイプ: 側方監視 中幅レセプション角度: 50° パッケージの材質と色: 黒エポキシ 昼光フィルタ 高感度 動作温度: -40 → +100 ℃

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.5 W。パッケージタイプ = SMA ( CASE 403D )。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 25mA。最大ツェナーインピーダンス = 600 Ω @ 0.25 mA， 9 Ω @ 25 mA。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 4.57 x 2.92 x 2mm。動作温度 Min = -65 ℃mA。この 1.5 W ツェナーダイオードは、汎用電圧調整用途向けに設計されています。標準ツェナー降伏電圧範囲： 3.3 → 68 V >人体モデルごとにクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格を備えています 平らな取り扱い面で正確に配置できます TOP サイド / ボトム回路基板実装用のパッケージ設計 低プロファイルパッケージ テープ及びリールで提供されます MELF パッケージの理想的な代替品です 機械的特性： ケース：無骨、転写成型プラスチック 仕上げ：外側のすべての表面には耐腐食性があり、簡単にはんだ付けできるリードを備えています はんだ付けの最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) 極性：カソードは極性を成形済みのノッチ又はカソードバンドで表示 鉛フリーパッケージを用意 PPAP対応

ピーク感度波長 = 880nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 700nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 5ns。長さ = 4.95mm。高さ = 8.77mm。直径 = 6.1mm。標準上昇時間 = 5ns。QSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。 標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ 広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ 高感度 波長: 880 nm 検出面積: 1.245 x 1.245 mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、中電力用途向けに設計された TO-92 パッケージに収納されています。鉛フリーパッケージを用意

パッケージタイプ = DIP。実装タイプ = 表面実装。オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 7μs。標準上昇時間 = 7μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = ±12°。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = T-1 3/4。寸法 = 6.1 Dia. x 8.77mm。コレクター電流 = 39mA。感度スペクトルレンジ = 880 nmnm。コレクタエミッタ電圧 = 30V。QSD122 、 QSD123 、 QSD124 は、赤外線透明、黒色 T-1 3/4 パッケージに収められたシリコンフォトトランジスタです。NPNシリコンフォトトランジスタ パッケージタイプ： T-1 3/4 ノッチ付きエミッタ： QED12X/QED22X/QED23X 狭い受信角度： 24 ° C 昼光フィルタ パッケージの材質と色: 黒エポキシ 高感度 用途: この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

出力デバイス = フォトトランジスタ。標準上昇時間 = 20μs。標準降下時間 = 20μs。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = ミニチュア。寸法 = 3.6 x 2.9 x 1.7mm。高さ = 1.7mm。長さ = 3.6mm。動作温度 Max = +85℃。動作温度 Min = -40℃。幅 = 2.9mm。動作温度レンジ = -40 → +85℃。ON Semiconductor ミニチュア反射物体. ON Semiconductor QRE1113 は、ミニチュアスルーホールパッケージ形式の反射物体センサです。この小型 4 ピンパッケージ ； は、わずか 3.6 x 2.9 x 1.7 mm で、ガルウィング形式( 761-3984 )も用意されています。センサはダイオードを使用して信号を発信し、フォトトランジスタはこの信号を検出して所定の範囲内の物体を検出します。. フォトトランジスタ出力 接触面検出なし 4 ピン構成 ミニチュアスルーホールパッケージ 2.9 x 3.6 mm のフットプリント