「反転機」の検索結果

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。回路数 = 16。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。入力レベル = TTL。出力レベル = LVCMOS。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.4 ns @ 30 pF。幅 = 4.5mm。74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC W。ピン数 = 20。入力レベル = CMOS。出力レベル = CMOS。高レベル出力電流 Max = -7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 96 ns @ 2 V。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74AC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 18。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。入力レベル = TTL。出力レベル = TTL。高レベル出力電流 Max = -75mA。低レベル出力電流 Max = 75mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9ns。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 18。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。入力レベル = CMOS。出力レベル = CMOS。高レベル出力電流 Max = -35mA。低レベル出力電流 Max = 35mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 135ns。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74ACT。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 18。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。入力レベル = TTL。出力レベル = TTL。高レベル出力電流 Max = -75mA。低レベル出力電流 Max = 75mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9ns。幅 = 7.6mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = トランシーバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 35mA。低レベル出力電流 Max = -35mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165ns。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = -0.5 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC245A のピン配置は LS245 と同一です。デバイス入力は、標準 CMOS 出力と互換性があり、プルアップ抵抗器を備え、 LSTTL 出力と互換性があります。HC245A は、データバス間の双方向非同期通信に使用される 3 ステート非反転トランシーバです。このデバイスにはアクティブロー出力イネーブルピンがあり、 I/O ポートをハイインピーダンス状態にするために使用します。Direction コントロールは、データが A から B 、または B から A のどちらに流れるかを決定します出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷 CMOS 、 NMOS 、 TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲： 2 ～ 6 V 低入力電流： 1 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 308 FET または 77 等価 Gates