「拡張 ボード」の検索結果

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = IGBT， MOSFET。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。標準上昇時間 = 60ns。最大入力電流 = 16 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 60ns。シリーズ = FOD。35kv/ μ s の最小コモンモード除去を特徴とする高ノイズ耐性 2.5 A Peak 出力電流駆動機能により、ほとんどの 800 V / 20 A IGBT に対応しています 出力段で P チャンネル MOSFET を使用することで、電源レールの近くで出力電圧スイングが可能になります 幅広い供給電圧範囲： 15 → 30 V 高速スイッチング速度 最大伝搬遅延： 400 ns 最大パルス幅歪み： 100 ns 低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり 産業用拡張温度範囲： -40 → 100 ° C RDS ( ON )： 3 Ω (標準)の低消費電力を実現します >8.0 mm クリアランスおよび沿面距離 ( オプション「 T 」 ) 無停電電源 産業用インバータ 絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ 誘導加熱 用途 AC-DC 加盟店用電源 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 900 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.56mm。高さ = 1.6mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 690 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 6.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 180 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 9.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 185 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 6.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

ピン数 = 14。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -55 ℃。MC14016B クワッド双方向スイッチは、単一のモノリシック構造の MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスで構成されています。各 MC14016B は、デジタルまたはアナログ信号を制御できる 4 つの独立したスイッチで構成されています。このクワッド双方向スイッチは、信号ゲート、チョッパ、変調器、復調器、 CMOS ロジックの実装に使用されます。すべての入力でダイオードを保護します 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc 線形化された転送特性 低ノイズ - 12 nV/qルート(サイクル)、 f> = 1.0 kHz (標準) CD4016B 、 CD4066B のピン交換(注意：転送特性設計の改善により CD4016 よりも寄生カップリング静電容量が増大) 低 RON の場合は、 HC4016 高速 CMOS デバイスまたは MC14066B を使用します このデバイスには、 ESD 保護機能のない入力と出力があります。静電気防止対策を講じる必要があります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.7mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 120 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.56mm。動作温度 Min = -65 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 130 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 0.9 nC @ 5 Vmm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 2。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 32 V。動作温度 Max = +125 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4mm。LM258、LM358、LM2904、NCV2904、シングル電源、デュアルオペアンプ、ON Semiconductor. ON Semiconductor のデュアルオペアンプシリーズは鮮やかです。真の差動入力を備え、 3 → 32 V のシングル供給電圧で動作できます。このオペアンプには、静止電流( MC1741 の 5 分の 1 )など、他のシングルオペアンプと比べて多くの利点があります。ESD クランプは、すべての入力ピンにも取り付けられます。 コモンモード入力範囲に負電源が含まれているため、他の用途でコンポーネントのバイアスが不要になります。出力電圧には、負の電源電圧が含まれます。. 特長と利点:. シングル電源動作： 3V ～ 32V コモンモード範囲は負電源まで拡張されます シングルおよびスプリット電源動作 低入力バイアス電流 内部補償 真の差動入力段 入力に ESD クランプを装備. 用途:. インテグレータ コンパレータ 電圧クランプ 電流レギュレータ リニア電圧レギュレータ

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 10 Vmm。高さ = 2.39mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

論理回路 = 4000。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = RSラッチ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。回路数 = 4。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。セット/リセット = Yes。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。長さ = 10mm。幅 = 4mm。MC14043B / MC14044B クワッド R-S ラッチは、 1 つのモノリシック構造に MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスが組み込まれています。各ラッチには、独立した Q 出力、セット入力、リセット入力があります。Q 出力は、共通のイネーブル入力を備えた 3 ステートバッファによってゲートされます。出力はイネーブル入力で論理「 1 」又は「高」でイネーブルにし、論理「 0 」又は「低」によってラッチを Q 出力から切り離して、 Q 出力で開回路にします。ダブルダイオード入力保護 3 ステート出力と共通イネーブル 定格温度範囲で 2 つの低電力 TTL 負荷又は 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷を駆動できる出力 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc 鉛フリーパッケージを用意

メモリサイズ = 16kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 2 k x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。自動車規格 = AEC-Q100年。CAT25160 は、 2048 x 8 ビットとして内部で構成された EEPROM シリアル 16 Kb SPI デバイスです。32 バイトのページ書き込みバッファを備え、シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )プロトコルをサポートしています。このデバイスは、チップ選択( CS )入力によって有効になります。さらに、必要なバス信号は、クロック入力( SCK )、データ入力( SI )、データ出力( SO )の各ラインです。HOLD 入力は、 CAT25160 デバイスとのあらゆるシリアル通信を一時停止するために使用できます。これらのデバイスは、部分的なアレイ保護と完全なアレイ保護を含む、ソフトウェアとハードウェアの書き込み保護を備えています。10 MHz SPI 互換 供給電圧範囲： 1.8 → 5.5 V SPI モード( 0 、 0 、 1 ) 32 バイトのページ書き込みバッファ 自己タイミング書き込みサイクル ハードウェアとソフトウェアの保護 ブロック書き込み保護 - 保護 1/4 、 1/2 、又はすべての EEPROM アレイ 低電力CMOS技術 プログラム / 消去回数： 1 、 000 、 000 回 データ保持期間： 100 年間 工業用及び拡張温度範囲 8 リード PDIP 、 SOIC 、 TSSOP 、及び 8 パッド TDFN 、 UDFN パッケージです 用途 自動車システム 通信システム コンピュータシステム コンシューマシステム 産業システム