「極性反転」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2.2 x 1.35 x 0.9mm。NPN バイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-323/SC-70 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意 用途: ESD保護 極性反転保護 データライン保護 誘導負荷保護 ステアリングロジック

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意 品番の先頭は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途向けです 用途 ESD保護 極性反転保護 データライン保護 誘導負荷保護 ステアリングロジック

ロジックタイプ = TTL。出力電流 = 3 A。供給電圧 = 18V。ピン数 = 5。パッケージタイプ = SOT-23。出力数 = 1。トポロジー = ローサイド。ドライバ数 = 1。極性 = 反転， 非反転。実装タイプ = 表面実装。ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 350 mA 、 650 mA。供給電圧 = 20V。ピン数 = 20。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 6。トポロジー = ハイ/ローサイド。高/低サイド依存性 = 独立。ドライバ数 = 3。ブリッジタイプ = ハーフブリッジ。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。3相ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 1.5 A。供給電圧 = 18V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ハイ/ローサイド。ドライバ数 = 2。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

ロジックタイプ = TTL。出力電流 = 3 A。供給電圧 = 18V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ローサイド。ドライバ数 = 2。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = AC。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = Dタイプ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。高さ = 2.4mm。長さ = 12.95mm。幅 = 7.6mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

出力電流 = 0.65 A。供給電圧 = 20V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ハイ/ローサイド。高/低サイド依存性 = シンクロナス。ドライバ数 = 2。ブリッジタイプ = ハーフブリッジ。極性 = 反転， 非反転。実装タイプ = 表面実装。ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 4 A。供給電圧 = 20V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOP。出力数 = 1。トポロジー = ハイサイド。ドライバ数 = 1。ブリッジタイプ = ハーフブリッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。ハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ， 非反転バッファ。回路数 = 1。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120ns。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 10pF

ロジックタイプ = TTL。出力電流 = -5 A 、 5 A。供給電圧 = 18V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ローサイド。高/低サイド依存性 = 独立、同期。ドライバ数 = 2。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 1.5 A。供給電圧 = 18V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ハイ/ローサイド。ドライバ数 = 2。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

出力電流 = 15 mA。供給電圧 = 18V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。出力数 = 2。トポロジー = ハイ/ローサイド。ドライバ数 = 2。極性 = 非反転。実装タイプ = スルーホール。ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = D タイプ。出力タイプ = 3ステート。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 反転， 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。セット/リセット = Yes。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8ns。動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm。幅 = 4.4mm。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = AC。ラッチモード = アドレス可能。ラッチエレメント = デコーダ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 差動。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。セット/リセット = マスターリセット。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。長さ = 10mm。幅 = 4mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 7.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。高さ = 2.34mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = AC。ロジックタイプ = OR。入力タイプ = TTL。出力タイプ = TTL。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。1チップ当たりのエレメント数 = 4。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。高さ = 1.5mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = 4000。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 6。入力タイプ = CMOS。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。高レベル出力電流 Max = -4.7mA。低レベル出力電流 Max = 30mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 140 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = +18 Vmm。幅 = 4mm。4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

論理回路 = 4000。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = SRタイプ。ビット数 = 4bit。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。セット/リセット = Yes。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。長さ = 10mm。動作供給電圧 Max = 18 Vmm。4000シリーズフリップフロップ及びラッチ、ON Semiconductor

論理回路 = HC。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = Dタイプ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。高さ = 2.4mm。長さ = 12.95mm。幅 = 7.6mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = AC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = TTL。出力信号タイプ = シングルエンド。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。セット/リセット = マスターリセット。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12 ns@ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.5mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = バッファ、ラインドライバ、ラインレシーバ。回路数 = 8。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165 ns@ 50 pF。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Max = 6 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = LSTTL。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。セット/リセット = リセット。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 170ns。寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = LSTTL。出力信号タイプ = シングルエンド。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 28 ns @ 45 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 7.5mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = 74AC。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = あり。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = VHCT。ロジックタイプ = 非反転。チャンネル数 = 1。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = CMOS。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13ns。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4.5mm。高速： tpd = 3.5 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 mA (最大) @ TA = 25 ° C TTL 互換入力： VIL = 0.8 V 、 VIH = 2.0 V CMOS 対応出力： VOH> 0.8VCC 、 VOL< 0.1VCC @ 負荷 入力及び出力でのパワーダウン保護機能を実現

論理回路 = HCT。ロジックタイプ = バッファ。回路数 = 9。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 6mA。低レベル出力電流 Max = 6mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 38 ns @ 50 pF。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 4.5 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF

論理回路 = 74VHC。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -8mA。低レベル出力電流 Max = 8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4.4mm。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm。幅 = 4.5mm。74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 18。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。入力レベル = CMOS。出力レベル = CMOS。高レベル出力電流 Max = -35mA。低レベル出力電流 Max = 35mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 135ns。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = ACT。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 24mA。低レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4mm。MC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター

論理回路 = 74ACT。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 18。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。入力レベル = TTL。出力レベル = TTL。高レベル出力電流 Max = -75mA。低レベル出力電流 Max = 75mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9ns。幅 = 7.6mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74AC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 18。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。入力レベル = TTL。出力レベル = TTL。高レベル出力電流 Max = -75mA。低レベル出力電流 Max = 75mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9ns。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。回路数 = 16。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。入力レベル = TTL。出力レベル = LVCMOS。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.4 ns @ 30 pF。幅 = 4.5mm。74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = バッファ。回路数 = 4。入力タイプ = ショットキー。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 163ns。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 150pF。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。幅 = 4mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LSTTL。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。幅 = 4.5mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC W。ピン数 = 20。入力レベル = CMOS。出力レベル = CMOS。高レベル出力電流 Max = -7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 96 ns @ 2 V。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS