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仕様ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大連続コレクタ電流(A)1.2
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30
最大エミッタ-ベース間電圧(V)10
最大コレクタカットオフ電流(mA)0.0001
最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)1
最大ベース-エミッタ間飽和電圧(V)1.5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)40
トランジスタ構成シングル
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン4000
1箱(25個)
￥829
税込￥912
5日以内出荷
仕様ダーリントントランジスタ、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大連続コレクタ電流(A)1.2
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30
最大エミッタ-ベース間電圧(V)10
最大コレクタカットオフ電流(mA)0.0001
最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)1
最大ベース-エミッタ間飽和電圧(V)1.5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)40
トランジスタ構成シングル
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン4000
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.125●標準ゲートチャージ @ Vgs：13 nC @ 10 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)39000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,298
税込￥1,428
5日以内出荷
仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式スイッチング
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)950
ピーク逆繰返し電圧(V)200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100
最大連続順方向電流(A)3
ピーク逆回復時間(ns)20
1箱(10個)
￥729
税込￥802
5日以内出荷
仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル
整流方式ショットキー整流器
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)500
ピーク逆繰返し電圧(V)20
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100
最大連続順方向電流(A)3
1箱(25個)
￥2,398
税込￥2,638
5日以内出荷
仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル
整流方式ショットキー整流器
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)750
ピーク逆繰返し電圧(V)60
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100
最大連続順方向電流(A)3
1箱(25個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.125
高さ(mm)1
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)1600
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)105
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥519
税込￥571
5日以内出荷
仕様ロジックタイプ：TTL
ピン数(ピン)8
極性非反転
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor
出力電流0.125
供給電圧(V)18
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
ドライバ数2
トポロジーローサイド
出力数2
1箱(5個)
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様ロジックタイプ：TTL
ピン数(ピン)5
極性反転， 非反転
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor
出力電流0.125
供給電圧(V)18
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
ドライバ数1
トポロジーローサイド
出力数1
1箱(5個)
￥819
税込￥901
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：23 A
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-3PN
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)235
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)400
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)190
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥3,098
税込￥3,408
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.4
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)130
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費3000 mW
1箱(10個)
￥1,098
税込￥1,208
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0●標準ゲートチャージ @ Vgs：26 nC @ 10 V
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)240
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)650
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(2個)
￥679
税込￥747
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス
高さ(mm)16.3
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)19
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、+25
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費120 W
1箱(10個)
￥2,598
税込￥2,858
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：11 nC @ 10 V
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
パッケージSOT-223
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)3000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥519
税込￥571
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：80 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor
パッケージTO-220
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)242
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
￥829
税込￥912
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
高さ(mm)0.94
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.3
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、 +25
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥529
税込￥582
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：3.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.1 nC @ 10 V
高さ(mm)1.7
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
パッケージSOT-223
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)2.2
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)189
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥739
税込￥813
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：3 nC @ 10 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)1.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)183
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥789
税込￥868
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.0833●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.5 nC @ 4.5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥369
税込￥406
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.4 A
幅(mm)1.4
高さ(mm)0.94
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)52
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥489
税込￥538
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A
幅(mm)4.82
シリーズUltraFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
パッケージTO-247
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)285
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)55
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
￥979
税込￥1,077
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：1.9 A
幅(mm)1.4
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)600
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥369
税込￥406
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：40 nC @ 5 V
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージTO-220
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)110
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.2083333333
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
パッケージSOT-223
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)3000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-65
1箱(5個)
￥749
税込￥824
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0
高さ(mm)16.51
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージTO-220
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)48
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180
最大ゲート-ソース間電圧(V)-15 ， +15
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：2.4 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：9 nC @ 4.5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)55
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12 ， +12
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥399
税込￥439
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.4 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：12 nC @ 4.5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)52
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8
トランジスタ構成シングル
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.6
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)115
最大ゲートしきい値電圧(V)1.5
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥569
税込￥626
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65
最大ゲートしきい値電圧(V)1
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ7 nC @ 4.5 V
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥669
税込￥736
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.0833
高さ(mm)0.94
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)80
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最大動作温度(℃)150
1箱(5個)
￥409
税込￥450
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：1.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.6 nC @ 5 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷
パッケージSOT-223
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)2000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)350
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥559
税込￥615
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：7.2 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：19 nC @ 10 V
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージSOT-223
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)3
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)90
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-65
1箱(5個)
￥899
税込￥989
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大連続ドレイン電流：1.3 A
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)500
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)160
最大ゲート-ソース間電圧(V)8
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥369
税込￥406
5日以内出荷
仕様●ダイオードタイプ：ショットキー●ダイオードテクノロジー：ショットキーバリア●整流タイプ：ショットキー整流器●最大連続 順方向電流：15A
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数2
ピーク逆繰返し電圧(V)60
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)150
1箱(10個)
￥2,098
税込￥2,308
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：17 A
高さ(mm)9.4
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)79
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)120
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,498
税込￥1,648
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：27 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：33 nC @ 10 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)120000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70
最大ゲートしきい値電圧(V)4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：39 A
幅(mm)4.9
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)37
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)66
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：10.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：28 nC @ 10 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲー
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)135000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)400
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A
幅(mm)4.7
高さ(mm)16.3
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)325
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)55
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
￥869
税込￥956
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：51 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：55 nC @ 10 V
高さ(mm)9.4
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)320000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)250
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)60
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥2,198
税込￥2,418
5日以内出荷
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