「1トン」の検索結果

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダーリントン。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。最大電流変換率 = 1000%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = H11G。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトダーリントン。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。最大電流変換率 = 1000%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = H11G。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトダーリントン。最大順方向電圧 = 1.7V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 20 mA。絶縁電圧 = 2500 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 2600%。シリーズ = HCPL。特殊機能 = 電流ループレシーバ、デジタルロジックアース絶縁、電話機の鳴動検出器。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトダーリントン。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。最大電流変換率 = 1000%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = H11G。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトダーリントン。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMT。入力電流タイプ = AC/DC。標準上昇時間 = 100μs。最大入力電流 = 10 mA。絶縁電圧 = 5000Vrms 交流。最大電流変換率 = 15000%。標準降下時間 = 20μs。シリーズ = FOD

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 300μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 Vrms。最大電流変換率 = 15000%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダーリントン。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 300μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 15000%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 2V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 8.5μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。最大電流変換率 = 500%。標準降下時間 = 95μs。シリーズ = MOC。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5μs。最大入力電流 = 3 A。絶縁電圧 = 2500 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 500%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = 4N32。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5μs。最大入力電流 = 350 mA。絶縁電圧 = 2500 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 500%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = 4N32。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダーリントン。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。標準上昇時間 = 5μs。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = 4N33。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 4。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 2000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.9 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 90 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.3 V。幅 = 3.5mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計され、デバイスの取り付け面をヒートシンク又はシャーシから電気的に絶縁する必要があります。電気的に普及した TIP122 および TIP127 に類似しています 100 VCEO ( sus ) 定格コレクタ電流： 5 A 分離ワッシャは不要です システムコストの削減 高 DC 電流ゲイン： 2000 (最小) @ IC = 3 ADC 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 1.2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 4000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA。幅 = 1.3mm。ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 1.2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 4000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA。幅 = 1.3mm。ダーリントントランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -200 V。パッケージタイプ = SOT-93。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ、低周波数スイッチング、モータ制御用途として使用するように設計されています。MJH11017 、 MJH11019 、 MJH11021 ( PNP )、 MJH11018 、 MJH11020 、 MJH11022 ( NPN )は、コンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン @ 10 ADC - hFE = 400 分(すべてのタイプ) コレクタ - エミッタ維持電圧 VCEO ( sus ) = 150 V dc (最小) MJH11018 、 17 VCEO ( sus ) = 200 V dc (最小) - MJH11020 、 19 VCEO ( sus ) = 250 V dc (最小) - MJH11022 、 21 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 VCE (飽和) = 1.2 V (標準) @ IC = 5.0 A VCE (飽和) = 1.8 V (標準) @ IC = 10 A モノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意