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実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 800mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
15,980 税込17,578
7日以内出荷

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 800mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
14,980 税込16,478
7日以内出荷

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = IGBT, MOSFET。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。標準上昇時間 = 60ns。最大入力電流 = 16 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 60ns。シリーズ = FOD。35kv/ μ s の最小コモンモード除去を特徴とする高ノイズ耐性 2.5 A Peak 出力電流駆動機能により、ほとんどの 800 V / 20 A IGBT に対応しています 出力段で P チャンネル MOSFET を使用することで、電源レールの近くで出力電圧スイングが可能になります 幅広い供給電圧範囲: 15 → 30 V 高速スイッチング速度 最大伝搬遅延: 400 ns 最大パルス幅歪み: 100 ns 低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり 産業用拡張温度範囲: -40 → 100 ° C RDS ( ON ): 3 Ω (標準)の低消費電力を実現します >8.0 mm クリアランスおよび沿面距離 ( オプション「 T 」 ) 無停電電源 産業用インバータ 絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ 誘導加熱 用途 AC-DC 加盟店用電源 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -40 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -100 V●パッケージタイプ : TO-218●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 160 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 15.2×4.9×20.35mm●ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプと低速度スイッチングモータ制御用途向けに設計されています。スイッチングレギュレータコレクタ - エミッタ電圧 VCEV : 1000 V dc インバータ 高速ターンオフ時間 ソレノイド 80 ns 誘導型落下時間 100 C (標準) リレードライバ 120 ns 誘導型クロスオーバー時間 100 C ( T モータ制御 800 ns 誘導型保存時間 100 C ( T 偏向回路 100 C の性能仕様:誘導負荷の飽和電圧漏洩電流に基づく誘導負荷スイッチング時間を備えた逆バイアス SOA 超高速整流器を使用した FBSOA 定格の拡張 極めて高い RBSOA 機能 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,898 税込2,088
7日以内出荷

パッケージタイプ = WDFN。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。ピン数 = 8。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 3 x 1.9 x 0.75mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
259,800 税込285,780
7日以内出荷

仕様これらの N チャンネルロジックレベル MOSFET は、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産され、特にオン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧及びバッテリ駆動用途に最適です。最大 rDS ( on )4.3 A 高速スイッチング速度 低ゲート電荷量 超低 rDS ( on )向けの高性能トレンチテクノロジー 高電力及び高電流処理能力 用 寸法(mm)3×1.9×0.75 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 パッケージWDFN 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 最大パワー消費(W)1.6
1箱(10個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷