「CT」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 6 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 65 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.29 x 11.05 x 4.83mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -6 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 29V。最小ブレークダウン電圧 = 17V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSOP。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 350W。最大ピークパルス電流 = 12A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 5。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +125 ℃mm。幅 = 1.7mm。350 W過渡電圧サプレッサダイオードアレイ、ESD保護用

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 12.5V。最小ブレークダウン電圧 = 6.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 100W。最大ピークパルス電流 = 8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 5。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +125 ℃mm。幅 = 1.35mm。ESD保護用5ライン過渡電圧サプレッサ

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 14.5V。最小ブレークダウン電圧 = 7.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSOP。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 350W。最大ピークパルス電流 = 24A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 5。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1mm。幅 = 1.7mm。350 W過渡電圧サプレッサダイオードアレイ、ESD保護用

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 12.5V。最小ブレークダウン電圧 = 6.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 100W。最大ピークパルス電流 = 8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 5。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。幅 = 1.35mm。ESD保護用過渡電圧サプレッサ、SMF / SMSシリーズ

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = MCT。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.4μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 50%。標準降下時間 = 2.4μs。シリーズ = MCT。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.4μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 20%。標準降下時間 = 2.4μs。シリーズ = MCT。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.4μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 100%。標準降下時間 = 2.4μs。シリーズ = MCT。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。標準上昇時間 = 2.4μs。最大入力電流 = 20 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最小電流伝送率 = 20%。シリーズ = MCT

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SMT。標準上昇時間 = 2.4μs。最大入力電流 = 20 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = MCT

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。標準降下時間 = 1.5μs。シリーズ = MCT。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.4μs。最大入力電流 = 10 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 2.4μs。シリーズ = MCT

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。最小DC電流ゲイン = 200， 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。最小DC電流ゲイン = 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。最小DC電流ゲイン = 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 35A。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。このセンタータップ MBR ショットキー整流器は、二次整流やフリーホイーリング用途に最適で、順方向電圧降下と漏洩電流が極めて低く、高効率の DC-DC コンバータ設計を実現しています。低電力損失、高効率 高サージ容量 金属シリコンジャンクション、過半数キャリア伝導 高電流容量、低順方向電圧降下 過電圧保護用ガードリング( OVP ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = TTL。出力タイプ = シングルエンド。1チップ当たりのエレメント数 = 6。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74ACT。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4mm。AC/ACT04 には 6 つのインバータがあります。ICC は 74AC のみで 50% 削減されました 出力ソース / シンク： 24 mA ACT04 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています