「a1箱」の検索結果
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
寸法(mm)5.2×4.19×5.33
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)75
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)300
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
¥269
税込¥296
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-100
最大パワー消費(W)1
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)100
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)-1
トランジスタタイプPNP
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
¥1,898
税込¥2,088
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)75
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)300
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
¥239
税込¥263
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)120
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン135, 200
最大動作周波数(MHz)160
最大パワー消費750 mW
1箱(10個)
¥359
税込¥395
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-160
最大パワー消費(mW)900
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-160
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)-1
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン160
最大動作周波数(MHz)1
仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160
最大パワー消費(mW)900
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)160
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100, 160
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
¥2,498
税込¥2,748
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
寸法4.58 x 3.86 x 4.58mm
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45
最大パワー消費(W)1
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)-1
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン100
最大動作周波数(MHz)100
1箱(100個)
¥1,598
税込¥1,758
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)75
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(200個)
¥2,698
税込¥2,968
5日以内出荷
仕様汎用整流器の世界では、 Fairchild Semiconductor の S1 ファミリの 1 A 、 P-I-N 、 SMA 整流器が、最適化された低漏洩電流、低静電容量、高速応答時間を実現する製品です。これを実現すると同時に、業界標準の VF 最大 1.1 V @ 1 A 、サージ定格 30 A を維持しています。現在の世界では、システムの電力効率が重要な差別化要因となっていますが、これらの利点を活用して、効率性の向上という目標を達成することができます。定格電流: 1 AIF ( AV 低漏洩電流:
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
ピーク逆繰返し電圧(V)800
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(ns)1.8 (Typ.)
1箱(50個)
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : TO-225●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 30 W●最小DC電流ゲイン : 30●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 3 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 11.04×7.74×2.66mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1箱(500個)
¥32,980
税込¥36,278
5日以内出荷
仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001~UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不
直径(Φmm)2.72
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式ファストリカバリー
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1
ピーク逆繰返し電圧(V)100
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(ns)50
1箱(50個)
¥1,898
税込¥2,088
欠品中
仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A
長さ(mm)4.75
幅(mm)2.95
高さ(mm)2.2
寸法4.75 x 2.95 x 2.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1.4
最大逆電圧(V)600
1箱(100個)
¥1,698
税込¥1,868
5日以内出荷
仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001~UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不
直径(Φmm)2.72
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式ファストリカバリー
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1
ピーク逆繰返し電圧(V)400
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(ns)50
仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001~UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不
直径(Φmm)2.72
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式ファストリカバリー
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1
ピーク逆繰返し電圧(V)200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(ns)50
仕様●ダイオードタイプ:整流器●ダイオードテクノロジー:シリコンジャンクション●ダイオード構成:シングル●整流タイプ:スイッチング●最大連続 順方向電流:1A
直径(Φmm)2.7
ピン数(ピン)2
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001~UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不
パッケージDO-41
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.7
ピーク逆繰返し電圧(V)1000
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
ピーク逆回復時間(ns)75
仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A
長さ(mm)4.7
幅(mm)2.9
寸法(mm)4.7×2.9×2.7
高さ(mm)2.7
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65 、(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大逆電圧(V)200
1箱(50個)
¥2,798
税込¥3,078
5日以内出荷
仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001~UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不
直径(Φmm)2.72
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式ファストリカバリー
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.7
ピーク逆繰返し電圧(V)800
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(ns)75
仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001~UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不
直径(Φmm)2.72
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式ファストリカバリー
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.7
ピーク逆繰返し電圧(V)600
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(ns)75
仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式スイッチング
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)920
ピーク逆繰返し電圧(V)200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(ns)15
1箱(10個)
¥379
税込¥417
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式ファストリカバリー
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)920
ピーク逆繰返し電圧(V)50
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(ns)15
1箱(100個)
¥2,998
税込¥3,298
5日以内出荷
仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル
整流方式ショットキー整流器
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)500
ピーク逆繰返し電圧(V)20
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)40
最大連続順方向電流(A)1
1箱(50個)
¥2,598
税込¥2,858
5日以内出荷
仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル
整流方式ショットキー整流器
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)850
ピーク逆繰返し電圧(V)90
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)40
最大連続順方向電流(A)1
1箱(50個)
¥3,298
税込¥3,628
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A
ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式汎用
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.1
ピーク逆繰返し電圧(V)200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(μs)1.8
1箱(100個)
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式ファストリカバリー
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)920
ピーク逆繰返し電圧(V)100
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(ns)15
1箱(100個)
¥2,198
税込¥2,418
5日以内出荷
仕様ハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)8
極性非反転
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
出力電流0.166666667
供給電圧(V)20
パッケージSOP
実装タイプ表面実装
ブリッジタイプハーフブリッジ
ドライバ数1
トポロジーハイサイド
出力数1
1箱(5個)
¥1,598
税込¥1,758
5日以内出荷
仕様ロジックタイプ:TTL
ピン数(ピン)5
極性反転, 非反転
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor
出力電流0.125
供給電圧(V)18
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
ドライバ数1
トポロジーローサイド
出力数1
1箱(5個)
¥739
税込¥813
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)14
最大逆漏れ電流(μA)5
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)20
1箱(100個)
¥889
税込¥978
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)53
最大逆漏れ電流(μA)10
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)8
1箱(100個)
¥899
税込¥989
翌々日出荷
タイプ入力電流:AC/DC
シリーズFOD814
チャンネル数1
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
標準上昇時間4μs
標準降下時間3μs
出力デバイスフォトトランジスタ
最大順方向電圧(V)1.4
最大入力電流(mA)50
最大電流変換率(%)150
絶縁電圧(Vrms)5000 ac (最小)
1箱(25個)
¥1,698
税込¥1,868
5日以内出荷
仕様●入力電流タイプ:DC●最大電流変換率:1.6
チャンネル数1
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
パッケージDIP-B
実装タイプスルーホール実装
標準上昇時間18μs
標準降下時間18μs
出力デバイストランジスタ
最大順方向電圧(V)70
最大入力電流(mA)50
絶縁電圧(Vrms)5000
1箱(5個)
¥389
税込¥428
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 120V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = ケース017AA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 10mA。最大ツェナーインピーダンス = 1150Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm。順方向電流 = 1A。ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1箱(1000個)
¥24,980
税込¥27,478
5日以内出荷
仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流
寸法(mm)8.51×6.5×3.3
高さ(mm)3.3
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)-55~+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
回路構成シングル
実装タイプ表面実装
ピーク平均順方向電流(A)1.5
ピーク逆繰返し電圧(V)100
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50
ピーク逆電流(μA)5
ピーク順方向電圧(V)1.1
1箱(10個)
¥849
税込¥934
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = TO-225。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.25 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1箱(500個)
¥29,980
税込¥32,978
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = TO-225。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.25 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1箱(500個)
¥29,980
税込¥32,978
5日以内出荷
ダイオード構成 シングルV。実装タイプ スルーホール。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 240mA。最大ツェナーインピーダンス 1.5Ω。最大逆漏れ電流 1μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Max +200 ℃。ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途.
産業用
RoHS指令(10物質対応)対応
1箱(1000個)
¥26,980
税込¥29,678
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 1。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 220mA。最大ツェナーインピーダンス 1Ω。最大逆漏れ電流 1μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Max +200 ℃。ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途.
産業用
RoHS指令(10物質対応)対応
1箱(1000個)
¥29,980
税込¥32,978
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 56V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = ケース017AA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 280Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm。順方向電流 = 1A。これは、厳格な制限及び優れた動作特性を備えた 5.0 W ツェナーダイオード電圧レギュレータの全シリーズで、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらはすべて、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供するアキシャルリード型のトランスファー成形プラスチックパッケージに収容されています。8.3 ms で最大 180 W のサージ定格電圧 7 つの電気パラメータで保証される最大制限値 ケース:無骨、転写成型、熱設定プラスチック 仕上げ:外側のすべての表面に耐腐食性があり、リードは簡単にはんだ付けできます 極性:カソードはカラーバンドで表示ツェナーモードで操作すると、陽極に対して正の陰極が使用されます。 取り付け位置:任意 重量: 0.7 グラム(概算)
RoHS指令(10物質対応)対応
1箱(1000個)
¥27,980
税込¥30,778
欠品中
トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 30 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-204AA。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 250 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm。MJ21195G および MJ21196G は、穴あきエミッタ技術を採用しており、高出力オーディオ出力、ディスクヘッドポジショナー、リニア用途向けに特別に設計されています。全高調波歪みの特性を示しました 高 DC 電流利得 - HFE = 25 分 @ IC = 8 ADC 優れた利得直線性 高 SOA : 3A 、 80V 、 1 秒
RoHS指令(10物質対応)対応
1箱(100個)
¥79,980
税込¥87,978
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)14
最大逆漏れ電流(μA)5
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)20
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