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標準ツェナー電圧 = 7.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
1,598 税込1,758
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標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 75Ω。最大逆漏れ電流 = 2.7μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(200個)
1,398 税込1,538
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標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 84Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
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1,498 税込1,648
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標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 84Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(200個)
1,398 税込1,538
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標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 56Ω。最大逆漏れ電流 = 1.8μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
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1,498 税込1,648
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標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 89Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
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13,980 税込15,378
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標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 28Ω。最大逆漏れ電流 = 45nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
1,398 税込1,538
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標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 37Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
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1,598 税込1,758
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標準ツェナー電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 94Ω。最大逆漏れ電流 = 45μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大パワー消費(mW)200 最大逆漏れ電流(nA)45 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)28
1箱(200個)
1,398 税込1,538
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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大逆漏れ電流(μA)2.7 最大パワー消費(mW)200 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)75
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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 テスト電流(mA)5 最大逆漏れ電流(μA)1.8 最大パワー消費(mW)200 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)56
1セット(200個)
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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大逆漏れ電流(μA)4.5 最大パワー消費(mW)200 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)89 ツェナー電圧(V)標準3.3
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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大パワー消費(mW)200 最大逆漏れ電流(nA)900 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)37
1箱(200個)
1,598 税込1,758
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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大逆漏れ電流(μA)4.5 最大パワー消費(mW)200 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)84
1セット(200個)
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