「fet」の検索結果

出力電流 = 0.65 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイド高/低サイド依存性 = シンクロナスドライバ数 = 2ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 反転， 非反転実装タイプ = 表面実装ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 15 mA供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイドドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = スルーホールON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

ロジックタイプ = TTL出力電流 = -5 A 、 5 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ローサイド高/低サイド依存性 = 独立、同期ドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 1.5 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイドドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

ロジックタイプ = TTL出力電流 = 3 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ローサイドドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 4 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOP出力数 = 1トポロジー = ハイサイドドライバ数 = 1ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装ハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = TTL出力電流 = 3 A供給電圧 = 18Vピン数 = 5パッケージタイプ = SOT-23出力数 = 1トポロジー = ローサイドドライバ数 = 1極性 = 反転， 非反転実装タイプ = 表面実装ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 1.5 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイドドライバ数 = 2極性 = 反転実装タイプ = 表面実装ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

出力電流 = 350 mA 、 650 mA供給電圧 = 20Vピン数 = 20パッケージタイプ = SOIC出力数 = 6トポロジー = ハイ/ローサイド高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 3ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 反転実装タイプ = 表面実装3相ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

パッケージタイプ = DIP実装タイプ = 表面実装オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 6.1mm高さ = 2.3mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.1mm高さ = 2.3mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。