「mc-g02」の検索結果

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V， 250 ns @ 5 V， 80 ns @ 15 V。高レベル出力電流 Max = -4.2mA。低レベル出力電流 Max = 4.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 4000。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。タイマータイプ = 規格。パッケージタイプ = SOIC。内部タイマー数 = 1。ピン数 = 8。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 16 V。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃。最大静止電流 = 15mA。高レベル出力電流 Max = 200mA。幅 = 4mm。555タイマ、ON Semiconductor. ON Semiconductorの業界標準の555タイマは、正確なタイミングのパルスを発生させることが可能な非常に安定したコントローラです。 単安定動作では、外部抵抗器1個とコンデンサ1個で時間遅延を制御します。 無安定動作では、周波数及びデューティーサイクルは外部抵抗器2個とコンデンサ1個で正確に制御されます。

アンプタイプ = オペアンプ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = マイクロ。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 13 V。標準ゲイン帯域幅積 = 2.2MHz。出力タイプ = レール ツー レール。標準スルーレート = 1V/μs。最大動作周波数 = 100 kHz。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 300 kV/VmV。寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mm。ON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4、12 V 低ノイズ、レールツーレール入出力、高出力ドライブオペアンプ. ON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4 オペアンプは、入力と出力のいずれでもレールツーレール動作を実現します。入力は200mVの高さにまで駆動でき、出力で電源レールを越えても位相反転がなく、レールごとの出力振幅は50 mV以内です。レール・ツー・レール動作により、電源電圧範囲をフルに活用できます。 出力電流ブースト技術で高出力電流が可能になる一方でアンプのドレイン電流は最小に保たれます。ノイズと歪みが低くスルー・レートとドライブが高いという能力の組み合わせにより、オーディオ・アプリケーションに最適です。. 低電圧、単一電源動作(+1.8 V / アース → +12 V / アース) 両電源レールを含む入力電圧範囲 両レールとも50mV以内の出力電圧の振幅 過駆動入力信号の出力で位相反転なし 高出力電流(ISC = 80 mA、標準) 低供給電流(ID = 0.9 mA、標準) 出力駆動能力：600 W 標準ゲイン帯域幅積：2.2 MHz

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz。標準スルーレート = 13V/μs。最大動作周波数 = 1 MHz。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4.5mm。ON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz。標準スルーレート = 13V/μs。最大動作周波数 = 100 kHz。動作温度 Max = +85 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4mm。ON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz。標準スルーレート = 13V/μs。最大動作周波数 = 1 MHz。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4.5mm。ON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

アンプタイプ = ローパワー。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1.8MHz。標準デュアル供給電圧 = ±1.5 → ±22V。標準スルーレート = 2.1V/μs。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 114 dB。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。MC33171/2/4、MCV33172、低電力、シングル電源、3 → 44 V、オペアンプ、ON Semiconductor. MC33171 (シングル)、MC33172 (デュアル)、MC33174 (クワッド) 低供給電流: アンプあたり180 μA 広帯域幅: 1.8 MHz 高スルーレート: 2.1 V/μs 低入力オフセット電圧: 2 mV 車載用途向けのNCV33172、AEC-Q100認定

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。回路数 = 2。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1.8MHz。標準デュアル供給電圧 = ±1.5 → ±22V。標準スルーレート = 2.1V/μs。最大動作周波数 = 100 kHz。動作温度 Min = -40 ℃。レール to レール = No。幅 = 4mm。MC33171/2/4、MCV33172、低電力、シングル電源、3 → 44 V、オペアンプ、ON Semiconductor. MC33171 (シングル)、MC33172 (デュアル)、MC33174 (クワッド) 低供給電流: アンプあたり180 μA 広帯域幅: 1.8 MHz 高スルーレート: 2.1 V/μs 低入力オフセット電圧: 2 mV 車載用途向けのNCV33172、AEC-Q100認定

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 8 V。ラインレギュレーション = 175 mV。ロードレギュレーション = 60 mV。極性 = 正。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。出力タイプ = 固定。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4mm。MC78L00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. この注目の ON Semiconductor 5 V リニア電圧レギュレータは、 MC78L00A ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。この正電圧レギュレータには、外部コンポーネントが不要で、内部に熱過負荷保護と電流制限、安全面積補償が組み込まれています。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ， 非反転バッファ。回路数 = 1。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120ns。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 10pF

デバイスタイプ = モジュレータ/デモジュレータ。モジュレーションタイプ = バランス。最大I/Q周波数 = 300MHz。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。最大供給電流 = 5 mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.75mm。高さ = 1.75mm。長さ = 8.75mm。幅 = 4mm。MC1496平衡変調器 / 復調器. MC1496 平衡変調器 / 復調器の出力電圧は、入力電圧(信号)とスイッチング機能(搬送波)から得られます。. 搬送波抑圧: -65 dB @ 0.5 MHz、-50 dB @ 10 MHz 調整可能なゲイン及び信号処理 平衡入力 / 出力 コモンモード除去: -85 dB (標準) 動作温度範囲: 0 → +70 ℃ ( MC1496 )、-40 → +125 ℃ ( MC1496B ) 用途: 抑圧搬送波 / 振幅変調、同期検出、FM検出、相検出 RS製品コード ； 787-8715 787-8715 : MC1496BDG ； 787-8712 787-8712 : MC1496DR2G ； 787-8718 787-8718 : MC1496BDR2G

電圧管理タイプ = 電圧モニター。管理数 = 1。最大リセット閾値電圧 = 1.295V。最小リセット閾値電圧 = 1.245V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 40 V。動作供給電圧 Min = 2 V。マイクロプロセッサ監視/リセット回路、On Semiconductor

管理数 = 1。最大リセット閾値電圧 = 1.29V。最小リセット閾値電圧 = 1.24V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = マイクロ。ピン数 = 8。寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mm。最大リセット閾値電圧 = 4V。動作供給電圧 Max = 40 V。自動車規格 = AEC-Q100V。自動車用 NCV バージョン 一意のモード選択入力により、チャネルプログラミングが可能です 過電圧、低電圧、窓電圧検出 正 / 負電圧検出 2.0 V で完全に機能し、正の電圧検出に使用し、負の電圧検出には 4.0 V を使用します 電流制限保護付き 2.54 V リファレンスをピン配列しています 低待機電流 オープンコレクタ出力により、デバイスの柔軟性が向上 鉛フリーパッケージを用意 用途 電子ボディ 制動 インフォテイメント インストルメントクラスタ ナギブーター 乗員の快適性 乗員保護 パワートレイン

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 16。ロジックタイプ = レベルシフタmm。伝播遅延テスト条件 = 50pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 280 ns @ 50 pF。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 3 V。自動車規格 = AEC-Q100

出力電流 = 1.5 A。供給電圧 = 18V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ハイ/ローサイド。ドライバ数 = 2。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

論理回路 = VHCT。ロジックタイプ = 非反転。チャンネル数 = 1。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = CMOS。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13ns。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4.5mm。高速： tpd = 3.5 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 mA (最大) @ TA = 25 ° C TTL 互換入力： VIL = 0.8 V 、 VIH = 2.0 V CMOS 対応出力： VOH> 0.8VCC 、 VOL< 0.1VCC @ 負荷 入力及び出力でのパワーダウン保護機能を実現

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = Dフリップフロップ。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = CMOS、LSTTL、NMOS、TTL。出力信号タイプ = Dタイプフリップフロップ。トリガータイプ = 正エッジ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。セット/リセット = セット / リセット。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.5mm

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = VHC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。幅 = 4.5mm。74VHCファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor社のアドバンスド74VHC高速シリコンゲートCMOSロジックファミリ製品は、CMOS低電力損失の利点を維持しながら、同等のバイポーラ ショットキーTTLと同様の高速動作を提供します。. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 5.5 V 7 V許容入力

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 110 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。高性能シリコンゲート CMOS ： MC74HC08A は、 LS08 とピン配列が同じです。デバイス入力は、標準 CMOS 出力と互換性があり、プルアップ抵抗器を備え、 LSTTL 出力と互換性があります。出力駆動能力： 10 LSTTL 負荷 CMOS 、 NMOS 、 TTL への直接インターフェイス出力 動作電圧範囲： 2 ～ 6V 低入力電流： 1mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 24 個の FET または 6 個の同等の Gates

論理回路 = AC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = TTL。出力信号タイプ = シングルエンド。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。セット/リセット = マスターリセット。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12 ns@ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.5mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -40 ℃。74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 16。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。74VHCファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor社のアドバンスド74VHC高速シリコンゲートCMOSロジックファミリ製品は、CMOS低電力損失の利点を維持しながら、同等のバイポーラ ショットキーTTLと同様の高速動作を提供します。. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 5.5 V 7 V許容入力

論理回路 = HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 6 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。自動車規格 = AEC-Q100