「ns-04」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 高速。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = オープンコレクタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 16ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 2500 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 4ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。直径 = 1.5mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323F。最大連続 順方向電流 = 150mA。ピーク逆繰返し電圧 = 75V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523F。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 75V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。直径 = 1.53mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ピーク逆回復時間 = 4ns。直径 = 1.91mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523F。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 450mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。Fairchild Semiconductorショットキーバリア整流器ダイオード、シングル

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 400mA。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 6ns。直径 = 1.5mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AH。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 125V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 400ns。直径 = 1.91mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 1.5mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

最大スイッチング周波数 = 190 kHz。出力電圧 = 7.5 V。コントロール方法 = 電流。降下時間 = 120ns。パッケージタイプ = SOPns。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。PWM コントローラタイプ = 電流モードmm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。動作温度 Min = -40 ℃。フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = AC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 113ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = ACT。入力タイプ = TTL。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = 4.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -4.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 5 V。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。幅 = 4mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = あり。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 186 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 158ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = VHC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 121 ns @ 2 V， 20 ns @ 6 V， 24 ns @ 4.5 V。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ピーク感度波長 = 880nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 700nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 5ns。長さ = 4.95mm。高さ = 8.77mm。直径 = 6.1mm。標準上昇時間 = 5ns。QSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。 標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ 広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ 高感度 波長: 880 nm 検出面積: 1.245 x 1.245 mm

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = CMOS。1チップ当たりのエレメント数 = 6。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 188 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 4mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74HC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。MM74HC14 は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用することで、標準 CMOS の低電力損失と高ノイズ耐性を実現するだけでなく、 10 LS-TTL 負荷を駆動できます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 13 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 20 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧： 0.9 V @ VCC = 4.5 V 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。