「ns16」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = オープンコレクタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 16ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 2500 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 4ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = IGBT， MOSFET。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。標準上昇時間 = 60ns。最大入力電流 = 16 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 60ns。シリーズ = FOD。35kv/ μ s の最小コモンモード除去を特徴とする高ノイズ耐性 2.5 A Peak 出力電流駆動機能により、ほとんどの 800 V / 20 A IGBT に対応しています 出力段で P チャンネル MOSFET を使用することで、電源レールの近くで出力電圧スイングが可能になります 幅広い供給電圧範囲： 15 → 30 V 高速スイッチング速度 最大伝搬遅延： 400 ns 最大パルス幅歪み： 100 ns 低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり 産業用拡張温度範囲： -40 → 100 ° C RDS ( ON )： 3 Ω (標準)の低消費電力を実現します >8.0 mm クリアランスおよび沿面距離 ( オプション「 T 」 ) 無停電電源 産業用インバータ 絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ 誘導加熱 用途 AC-DC 加盟店用電源 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 16。ロジックタイプ = レベルシフタmm。伝播遅延テスト条件 = 50pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 280 ns @ 50 pF。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 3 V。自動車規格 = AEC-Q100

論理回路 = 4000。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 6。入力タイプ = CMOS。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。高レベル出力電流 Max = -4.7mA。低レベル出力電流 Max = 30mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 140 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = +18 Vmm。幅 = 4mm。4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

論理回路 = 4000。ロジックタイプ = モノステーブルマルチバイブレータ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。高レベル出力電流 Max = -4.2mA。低レベル出力電流 Max = 4.2mA。最小パルス幅 = 5 ns。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 600 ns @ 50 pF。最大静止電流 = 600μA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10.45 x 7.6 x 2.4mm。高さ = 2.4mm。長さ = 10.45mm。自動車規格 = AEC-Q100pF。4000シリーズマルチバイブレータ及びタイマ、ON Semiconductor