「ns50」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 50ns。最大入力電流 = 15 mA。絶縁電圧 = 3750 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 12ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 16。ロジックタイプ = レベルシフタmm。伝播遅延テスト条件 = 50pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 280 ns @ 50 pF。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 3 V。自動車規格 = AEC-Q100

論理回路 = AC。ロジックタイプ = OR。入力タイプ = TTL。出力タイプ = TTL。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。1チップ当たりのエレメント数 = 4。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。高さ = 1.5mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 50ns。最大入力電流 = 15 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 12ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

論理回路 = AC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = TTL。出力信号タイプ = シングルエンド。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。セット/リセット = マスターリセット。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12 ns@ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.5mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = バッファ。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 6。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = LCX。動作供給電圧 Max = 5.5 V。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 3.7 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 4.5mm

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 1.5mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

論理回路 = LCX。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝送 = CMOS。伝播遅延テスト条件 = 50pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 625mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

論理回路 = AC。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。回路数 = 8。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = AC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = TTL。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。セット/リセット = マスターリセット。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。幅 = 7.6mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = 4000。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 6。入力タイプ = CMOS。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。高レベル出力電流 Max = -4.7mA。低レベル出力電流 Max = 30mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 140 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = +18 Vmm。幅 = 4mm。4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。出力タイプ = シングルエンド。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 250 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -4.2mA。低レベル出力電流 Max = 4.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 4000。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 2。ゲートあたりの入力数 = 4。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 4000。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 18 V。高レベル出力電流 Max = -4.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 300 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = -5 V。低レベル出力電流 Max = 4.2mA。自動車規格 = AEC-Q100mm。4000シリーズロジックゲート、ON Semiconductors

論理回路 = 74AC。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = あり。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = あり。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 186 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

論理回路 = HCT。ロジックタイプ = バッファ。回路数 = 9。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 6mA。低レベル出力電流 Max = 6mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 38 ns @ 50 pF。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 4.5 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー。入力タイプ = シュミットトリガ。出力タイプ = CMOS。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74AC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = ACT。入力タイプ = TTL。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。MC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = VHCT。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。幅 = 4.4mm。74VHCTファミリ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm。幅 = 4.5mm。74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 110 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = ACT。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 24mA。低レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4mm。MC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = あり。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74AC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 7.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。高さ = 2.34mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = VHC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。幅 = 4mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LSTTL。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。幅 = 4.5mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74LCX。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DQFN。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 50 pF。寸法 = 3 x 2.5 x 0.75mm。幅 = 2.5mm。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = 74ACT。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12.5 ns @ 50 pF。寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm。動作供給電圧 Min = 4.5 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ。回路数 = 10。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF。寸法 = 13 x 7.6 x 2.34mm。動作供給電圧 Max = 3.6 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = ACT。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。AC/ACT08 には、 4 つの 2 入力 AND ゲートがあります。ICC は 74AC のみで 50% 削減されました 出力ソース / シンク： 24 mA 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = ACT。入力タイプ = TTL。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4.5mm。AC/ACT32 には、 4 つの 2 入力 OR ゲートがあります。ICC は 74AC のみで 50% 削減されました 出力ソース / シンク： 24 mA ACT32 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = インバータ。出力タイプ = LSTTL。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 105 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = LS。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74HCUファミリ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック(バッファなし) 供給電圧Vcc範囲: 2.0 → 6.0 V シンク又はソース: 4 mA @ Vcc = 4.5 V ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = TTL。出力タイプ = シングルエンド。1チップ当たりのエレメント数 = 6。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74ACT。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4mm。AC/ACT04 には 6 つのインバータがあります。ICC は 74AC のみで 50% 削減されました 出力ソース / シンク： 24 mA ACT04 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = Mini-Flat。標準上昇時間 = 20ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = FODM。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor