「t20 12v」の検索結果

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 880 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 1.35mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 9 nC @ 4.5 Vmm。高さ = 0.94mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.25V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +12 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃V