「シリコンウエハ」の検索結果
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研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1～100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
製造方法CZ法
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供
仕様(面方位)100、(OF位置)110、パーティクル不問、多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)
抵抗値0.1～100Ω・cm※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm
製造方法CZ法
汎用的な成膜用基板として使用されています。
長さ(mm)(OF)47.5±2.5
抵抗値0.1～100Ω・cm
製造方法CZ法
位置(OF)110
方位(面)100
ウェハー厚(μm)625±25
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