研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
製造方法CZ法
デバイス等を粘着し、固定できますので保管・搬送に便利です。
ピンセットでデバイスの貼り付け・はがしが可能です。
耐熱温度(℃)-60~+200(ジェル部)
材質本体/ABS樹脂、フタ/導電PS(ポリスチレン)
危険物の類別非危険物
コンテナ種類ベタ目
水冷式のため、摩擦による切断面の焼き付きがありません。
油が付着することがなく、バリが少なく断面がなめらかです。
回転数(min-1[r.p.m])5000
コード長さ(m)2(3Pタイプ)
付属品砥石2枚
ヒューズ2A
寸法(mm)240×190×160
仕様本体
質量(kg)4.8
1個
¥119,000
税込¥130,900
当日出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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仕様●サイズ(mm):40×40●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):50×50●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):15×15●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):20×30●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):10×20●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1~100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
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仕様●サイズ(mm):30×30●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):25×35●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
ダイシングフレーム付きのウェハーを運搬・保管できます。
洗浄により繰り返し使用が可能です。
その他(適合リング)プラスチックリング・メタルリング
材質PP
収納数25枚
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