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Toshiba 74VHCシリーズ オクタルバッファ / ラインドライバ， 3ステート 非反転， 4.5～5.5 V， 20-Pin東芝￥1,198税込￥1,318
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仕様ロジックファミリー = 74VHCロジック機能 = バッファー1チップ当たりのチャンネル数 = 8入力タイプ = TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = +25mA低レベル出力電流 Max = -25mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5ns寸法 = 5.25 x 3 x 0.8mm高さ = 0.8mm伝播遅延テスト条件 = 50pFTC74VHCTシリーズ、東芝. プロセス: CMOS 電源電圧: 4.5 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 VHCシリーズ ロジックゲート， -25mA， 4.5～5.5 V， 14-Pin VSSOP 2-入力東芝￥179税込￥197
1袋(10個)
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仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = VSSOPピン数 = 14ロジックファミリー = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = +25mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9ns動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = -25mA動作温度 Max = +85 ℃TC74VHCTシリーズ、東芝. プロセス: CMOS 電源電圧: 4.5 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74VHCシリーズ クワッドバッファ / ラインドライバ， 3ステート， 4.5～5.5 V， 14-Pin VSSOP東芝￥499税込￥549
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仕様ロジックファミリー = 74VHCロジック機能 = バッファー1チップ当たりのチャンネル数 = 4入力タイプ = TTL出力タイプ = 3ステート実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = +25mA低レベル出力電流 Max = -25mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.5ns寸法 = 4.25 x 3 x 0.8mm高さ = 0.8mm動作温度 Min = -40 ℃TC74VHCTシリーズ、東芝. プロセス: CMOS 電源電圧: 4.5 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 VCXシリーズ ヘキサバッファ / ラインドライバ 反転， 1.2～3.6 V， 14-Pin VSSOP東芝￥569税込￥626
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仕様ロジックファミリー = VCXロジック機能 = シュミット インバータ1チップ当たりのチャンネル数 = 6入力タイプ = シュミットトリガー極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = +24mA低レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.6ns寸法 = 4.25 x 3 x 0.8mm高さ = 0.8mm動作供給電圧 Min = 1.2 VTC74VCXシリーズ、東芝. プロセス: CMOS 電源電圧: 1.2 → 3.6 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba シングル 8 x 1 マルチプレクサスイッチIC ±5 V， 16-Pin SOP東芝￥519税込￥571
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仕様構成 = シングル 8 x 1パッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = ±5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = シングルエンド動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 81エレメント当たりの入力数 = 8TC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba トリプル 6 x 3 マルチプレクサ / デマルチプレクサ ±5 V， 16-Pin SOP東芝￥779税込￥857
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仕様構成 = トリプル 6 x 3パッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = ±5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 2最大パワー消費 = 180 mWTC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba CMOSシリーズ 8ステージ シフトレジスタ， シリアル/パラレル 単方向， 3～18 V， 16-Pin SOP東芝￥479税込￥527
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仕様パッケージタイプ = SOPロジック機能 = シフトレジスターステージ数 = 8ロジックファミリー = CMOS実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル/パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = 3 V動作供給電圧 Max = 18 V寸法 = 10.8 x 5.3 x 1.5mm長さ = 10.8mm幅 = 5.3mmプリセットタイプ = 非シンクロナスTC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート， +4mA， 3～18 V dc， 14-Pin SOP 2-入力東芝￥749税込￥824
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仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 18 V dc高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 200ns動作供給電圧 Min = 3 V dc低レベル出力電流 Max = +4mA出力タイプ = バッファ， CMOSTC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 2 A， 6 ピン パッケージUF東芝￥629税込￥692
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 35 nsデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 3 A， 3 ピン パッケージUFM東芝￥649税込￥714
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 260 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ素材 = SiMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP デジタルトランジスタ， 50V， 10 kΩ， 6-Pin SM東芝￥329税込￥362
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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 (NPN) mA、-100 (PNP) mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 (NPN) V、-50 (PNP) V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 (NPN) V、-0.3 (PNP) V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 (NPN) V、-10 (PNP) V標準抵抗比 = 1寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmRNシリーズデュアルデジタルトランジスタ. 東芝のデュアルデジタルトランジスタ製品です。このデバイスは、バイアス抵抗器を内蔵しており、デジタルソースから直接駆動することができます。この製品の構成には、デュアルNPN、デュアルPNP、NPN+PNPなどがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 5-Pin SMV東芝￥889税込￥978
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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2高さ = 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 1.2 A， 5-Pin SMV東芝￥239税込￥263
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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 850 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 150mA， 6-Pin US東芝￥299税込￥329
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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル IGBT， 1200 V， 40 A， 3-Pin SC-65 シングル東芝(1件のレビュー)￥659税込￥725
1個
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仕様最大連続コレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 230 Wパッケージタイプ = SC-65実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 0.2μsトランジスタ構成 = シングル長さ = 20mm幅 = 15.5mm高さ = 4.5mm寸法 = 20 x 15.5 x 4.5mm動作温度 Max = +175 ℃IGBTディスクリート、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝， ショットキーバリアダイオード， 3A， 30V， 2-Pin M-FLAT東芝￥459税込￥505
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = M-FLATダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 450mV長さ = 3.8mm幅 = 2.4mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応
東芝， ショットキーバリアダイオード， 3A， 30V， 2-Pin M-FLAT東芝￥499税込￥549
1袋(10個)
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = M-FLATダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV長さ = 3.8mm幅 = 2.4mm高さ = 0.98mmピーク逆電流 = 5mAショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応
東芝， ショットキーバリアダイオード， 5A， 30V， 2-Pin M-FLAT東芝￥1,298税込￥1,428
1袋(10個)
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仕様最大連続 順方向電流 = 5A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = M-FLATダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV長さ = 3.8mm幅 = 2.4mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 70Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 50 V， 7 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.18 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN バイポーラトランジスタ， 30 V， 3 A， 3-Pin TSM東芝￥519税込￥571
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.14 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN 高電圧 パワートランジスタ， 400 V， 2 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥559税込￥615
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 5.5 x 2.3mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN RFトランジスタ， 高周波， 12 V， 80 mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥589税込￥648
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V最大動作周波数 = 7000 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.5 x 1.1mmRFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 80 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 120 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ， 600 V， 500mA， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥829税込￥912
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.27 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP バイポーラトランジスタ， 20 V， 1.5 A， 3-Pin TSM東芝￥299税込￥329
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 2 A， 3-Pin TSM東芝￥559税込￥615
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -1.1 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトリレー Toshiba (東芝) TLP3100(TP，F)， MOSFET出力東芝￥469税込￥516
1個
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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = MOSFET絶縁電圧 = 1500 V ac光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトリレー Toshiba (東芝) TLP170A(F)， MOSFET出力東芝￥559税込￥615
1個
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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = MOSFET絶縁電圧 = 1500 V ac光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 15 A， 8 ピン パッケージSOP TPC シリーズ東芝￥349税込￥384
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2.8 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 1620 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、TPCAxxxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 9 A， 8 ピン パッケージSOP TPC シリーズ東芝￥869税込￥956
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 24.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 2 A， 3 ピン パッケージPW成形 TK シリーズ東芝￥199税込￥219
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = PW成形実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 280 pF @ 25 VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4チャンネル ESD保護ダイオード， 5-Pin ESV東芝￥1,198税込￥1,318
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESVピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 1μAESD保護ダイオード(2 in 1、4 in 1、5 in 1、7 in 1)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥369税込￥406
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝￥379税込￥417
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥299税込￥329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥699税込￥769
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 800 mW標準ターンオフ遅延時間 = 92 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5～15V， 16-Pin TSSOP東芝￥679税込￥747
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = TSSOP実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 12 V、15 V、5 V、9 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル， シングル入力信号タイプ = シングエンド出力信号タイプ = シングルエンド標準デュアル供給電圧 = ±3 V， ±5 V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3幅 = 4.4mmCMOSアナログスイッチ / マルチプレクサRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート， 4mA， 3～18 V， 14-Pin TSSOP 2-入力東芝￥349税込￥384
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V， 200 ns @ 5 V， 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA幅 = 4.4mmTC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル4:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5～15V， 16-Pin TSSOP東芝￥929税込￥1,022
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様構成 = デュアル4:1パッケージタイプ = TSSOP実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 12 V、15 V、5 V、9 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル， シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±3 V， ±5 V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 2幅 = 4.4mmCMOSアナログスイッチ / マルチプレクサRoHS指令(10物質対応)対応