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N-chan SiC MOSFET
WOLFSPEED￥249,800税込￥274,7801セット(30個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：60 A、最大ドレイン-ソース間電圧：1200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：52 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：4V、最低ゲートしきい値電圧：2V、最大ゲート-ソース間電圧：-5 V， +20 V、パッケージタイプ：TO-247、実装タイプ：スルーホール、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：330 W、標準ターンオフ遅延時間：26ns、WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet(TM)、C2M(TM)、C3M(TM)シリコンカーバイドパワーMOSFET Creeのパワー部門であるWolfspeedの次世代SiC MOSFET製品で、業界をリードする電力密度とスイッチング効果を実現します。 これらの低容量デバイスは、高いスイッチング周波数を可能にします。冷却要件が軽減され、システム全体の動作効率が向上します。 ； 強化モードNチャンネルSiC技術 ； 高出力ソース絶縁破壊電圧: 最大1200 V ； 複数のデバイスを簡単に接続して駆動 ； 高速スイッチング、低いオン状態抵抗 ； 抗ラッチアップ動作RoHS指令(10物質対応)対応
Wolfspeed 整流ダイオード
WOLFSPEED￥29,980税込￥32,9781セット(30個)7日以内出荷仕様ダイオード構成：コモンカソード、1チップ当たりのエレメント数：2、ピーク逆繰返し電圧：650V、実装タイプ：スルーホール、パッケージタイプ：TO-247、ダイオードタイプ：SiCショットキー、ピン数：3、最大順方向降下電圧：2.4V、長さ：16.13mm、幅：21.1mm、高さ：5.21mm、パワー消費：136.3W、Z-Rec(TM)シリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。； 定格電圧: 600、650、1200、1700 ； ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧 ； 温度に依存しないスイッチング動作 ； 超高速スイッチング、最小損失 ； 正温度係数順方向電圧 ； デバイスは熱暴走せずに並列可能 ； ヒートシンク要件を削減 ； PFCブーストダイオード用途向けに最適化RoHS指令(10物質対応)対応
Wolfspeed デュアル Nチャンネル パワーMOSFET
WOLFSPEED￥99,980税込￥109,9781個7日以内出荷仕様WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュール. Cree Inc.の電源部門であるWolfspeedのシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、業界標準のパッケージに収納され、ハーフブリッジ(2 MOSFET)及び3相(6 MOSFET)形式で利用可能で、SiC逆回復ダイオードが付属します。 誘導加熱、太陽光及び風力インバータ、DC-DCコンバータ、3相PFC、ライン回生ドライブ、UPS及びSMPS、モータドライブ及びバッテリ充電器などが主な用途です。. ； MOSFETターンオフテール電流及びダイオード逆回復電流は効率的にゼロになります。 ； 超低損失高周波動作 ； SiC特性により、並列が容易 ； 通常オフ、フェイルセーフ動作 ； 銅製ベースプレートと窒化アルミ絶縁物によって熱要件を軽減ピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最小ゲートしきい値電圧(V)1.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+25カテゴリーパワーMOSFET
Wolfspeed Nチャンネル パワーMOSFET
WOLFSPEED￥2,698～税込￥2,968～1個ほか翌々日出荷から7日以内出荷チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
