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RoHS10物質対応(558)
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥759税込￥835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
フォトリレー Toshiba (東芝) TLP240A(F(O AC入力， MOSFET出力， 4-Pin東芝(1件のレビュー)￥599税込￥659
1袋(2個)
当日出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 HCシリーズ ロジックゲート， 5.2mA， 2～6 V， 14-Pin PDIP 2-入力東芝￥219税込￥241
1袋(5個)
当日出荷
仕様ロジック機能 = OR実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 6 V， 15 ns @ 4.5 V， 75 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA伝播遅延テスト条件 = 50pFTC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba (東芝) フォトカプラ， MOSFET出力東芝￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
当日出荷
実装タイプスルーホール実装出力デバイスMOSFET最大順方向電圧(V)1.4チャンネル数1ピン数(ピン)4パッケージDIP電流の種類(入力)DC最大入力電流(mA)30シリーズTLP241A絶縁電圧(Vrms)5000
Toshiba モータドライバIC， 10～45 V， 7-Pin HSIP ブラシ付きDC東芝￥559税込￥615
1個
当日出荷
仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = フルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 4.5A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = HSIPピン数 = 7動作供給電圧 Min = 10 V標準スイッチング周波数 = 100kHz動作温度 Min = -40 ℃モータコントローラ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 ACシリーズ ロジックゲート， 24mA， 2～5.5 V， 14-Pin PDIP 2-入力東芝￥399税込￥439
1袋(5個)
当日出荷
仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = AC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7 ns @ 5 V， 9.8 ns @ 3.3 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 24mA寸法 = 19.25 x 6.4 x 3.5mmTC74ACシリーズ1、東芝. プロセス: CMOS 主電源電圧: 2 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 ACシリーズ インバータ 24mA， 2～5.5 V， 14-Pin PDIP東芝￥499税込￥549
1袋(5個)
当日出荷
仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.6 ns @ 5 V， 9.8 ns @ 3.3 V高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = AC寸法 = 19.25 x 6.4 x 3.5mm高さ = 3.5mm動作温度 Min = -40 ℃TC74ACシリーズ1、東芝. プロセス: CMOS 主電源電圧: 2 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝(2件のレビュー)￥209税込￥230
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba モータドライバIC， 10～45 V， 16-Pin HSOP ブラシ付きDC東芝￥399税込￥439
1個
当日出荷
仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = フルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 4.5A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = HSOPピン数 = 16動作供給電圧 Min = 10 V標準スイッチング周波数 = 100kHz動作温度 Max = +85 ℃モータコントローラ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba モータドライバIC， 10～45 V， 7-Pin HSIP ブラシ付きDC東芝￥499税込￥549
1個
当日出荷
仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = フルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 3A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = HSIPピン数 = 7動作供給電圧 Min = 10 V標準スイッチング周波数 = 100kHz幅 = 3mmモータコントローラ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 HCシリーズ デュアル モノステーブルマルチバイブレータ， 5.2mA， 2～6 V， 16-Pin PDIP東芝￥679税込￥747
1袋(5個)
予約販売
仕様ロジックファミリー = HCロジック機能 = モノステーブルマルチバイブレータ1チップ当たりのエレメント数 = 2高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA最小パルス幅 = 13 ns最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 210 ns @ 2 V最大静止電流 = 0.004mA実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 16寸法 = 19.25 x 6.4 x 3.5mm高さ = 3.5mm長さ = 19.25mm動作供給電圧 Min = 2 VTC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 ACTシリーズ ヘキサ CMOS インバータ(NOTゲート)， 24mA， 4.5～5.5 V， 14-Pin PDIP東芝￥559税込￥615
1袋(5個)
予約販売
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 11.4 ns @ 5 V高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = ACT寸法 = 19.25 x 6.4 x 3.5mm伝播遅延テスト条件 = 50pFTC74ACTシリーズ、東芝. プロセス: CMOS 電源電圧: 4.5 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥209税込￥230
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥2,898税込￥3,188
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP291-4(GB，E(T， トランジスタ出力， 16-Pin東芝￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
当日出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 2.5 kVrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 3μsシリーズ = TLP 291-4フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 HCTシリーズ ヘキサバッファ 4mA， 4.5～5.5 V， 14-Pin PDIP東芝￥229税込￥252
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = バッファー1チップ当たりのエレメント数 = 6最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 21 ns @ 5.5 V， 23 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -4mA低レベル出力電流 Max = 4mA実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = HCT寸法 = 19.25 x 6.4 x 3.5mm高さ = 3.5mm幅 = 6.4mmTC74HCTシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ デュアル モノステーブルマルチバイブレータ， 3～18 V， 16-Pin PDIP東芝￥889税込￥978
1袋(5個)
当日出荷
仕様ロジックファミリー = 4000ロジック機能 = モノステーブルマルチバイブレータ1チップ当たりのエレメント数 = 2最小パルス幅 = 25 ns最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 760 ns @ 5 V最大静止電流 = 20mA実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 16寸法 = 19.25 x 6.4 x 3.5mm高さ = 3.5mm長さ = 19.25mm動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba フリップフロップIC 3～18 V， 14-Pin PDIP東芝￥329税込￥362
1袋(5個)
当日出荷
仕様ロジックファミリー = 4000ロジック機能 = D タイプ入力タイプ = シングルエンド出力信号タイプ = 差動トリガータイプ = 正エッジ極性 = 反転， 非反転実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14セット/リセット = Yes1チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 300 ns @ 5 V寸法 = 19.25 x 6.4 x 3.5mm動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート， 4mA， 3～18 V， 14-Pin PDIP 2-入力東芝￥419税込￥461
1袋(5個)
当日出荷
仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V， 200 ns @ 5 V， 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 HCシリーズ ヘキサ インバータ(NOTゲート)， 5.2mA， 2～6 V， 14-Pin SOP東芝￥359税込￥395
1袋(5個)
当日出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 2 V， 21 ns @ 6 V， 25 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = HC寸法 = 10.3 x 5.3 x 1.5mm動作温度 Min = -40 ℃TC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 650 V， 27.6 A， 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ東芝(1件のレビュー)￥1,598税込￥1,758
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 27.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 230 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート， 4mA， 3～18 V， 14-Pin PDIP 2-入力東芝￥399税込￥439
1袋(5個)
当日出荷
仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000入力タイプ = シュミットトリガー動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120 ns @ 10 V， 260 ns @ 5 V， 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA幅 = 6.4mmTC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝マテリアル， S/0-40X130CF アモルファス磁性シート (非接触充電用)東芝￥16,980税込￥18,678
1袋(5個)
当日出荷
仕様アプリケーション = 平面インダクタコア、平面トランスコア、RFI抑制アモルファス磁気シート. インダクタ又はトランス用の透磁率の高い薄型磁気コアとして、又は磁気部品のコイルからの漏洩に対するシールドとして使用できます。. 2タイプを開発: 高透磁率タイプ(SS)と高Q値タイプ(DS) 相対透磁率が高く(12，000 @100 kHz)、優れたシールド性を発揮(SS) 100 kHzの範囲でQ値を上げ、相対透磁率2000で損傷を低減(DS) 厚さ約16 μmのアモルファス磁気ボディを使用。接着層とPETフィルムの保護層が磁気ボディの両側にあり、シートの厚みはわずか0.09 mmです。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74HCシリーズ クワッドバスバッファ東芝￥1,698～税込￥1,868～
1袋(50個)ほか
7日以内出荷
長さ(mm)8.95寸法(mm)8.95×3.9×1.38高さ(mm)1.38ピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数4低レベル出力電流(mA)7.8高レベル出力電流(mA)-7.8最大伝播遅延時間@最大CL195ns@150pFロジックファミリー74HCエレメント数(入力)1
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル IGBT， 1200 V， 40 A， 3-Pin TO-3P シングル東芝￥859税込￥945
1個
翌々日出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 230 Wパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 0.4μsトランジスタ構成 = シングル長さ = 15.5mm幅 = 4.5mm高さ = 20mm寸法 = 15.5 x 4.5 x 20mmゲート静電容量 = 1500pFIGBTディスクリート、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル IGBT， 1100 V， 60 A， 3-Pin TO-3PN シングル東芝￥669税込￥736
1個
翌々日出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 60 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1100 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 333 Wパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.5mm幅 = 4.5mm高さ = 20mm寸法 = 15.5 x 4.5 x 20mm動作温度 Max = +175 ℃IGBTディスクリート、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 900 V， 5 A， 3 ピン パッケージSC-67 2SK シリーズ東芝￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝(1件のレビュー)￥949税込￥1,044
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 207 A， 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ東芝￥569税込￥626
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba モータドライバIC， 2.7～5.5 V， 24-Pin SSOP ブラシ付きDC東芝￥109税込￥120
1個
翌々日出荷
仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = デュアルフルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 3.2A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 24動作供給電圧 Min = 2.7 V標準スイッチング周波数 = 100kHz幅 = 5.6mmモータコントローラ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 ACTシリーズ ヘキサ インバータ(NOTゲート)， 24mA， 4.5～5.5 V， 14-Pin SOP東芝￥669税込￥736
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 11.4 ns @ 5 V高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = ACT寸法 = 10.3 x 5.3 x 1.5mm動作温度 Min = -40 ℃TC74ACTシリーズ、東芝. プロセス: CMOS 電源電圧: 4.5 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル4:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5～15V， 16-Pin PDIP東芝￥689税込￥758
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様構成 = デュアル4:1パッケージタイプ = PDIP実装タイプ = スルーホール標準シングル供給電圧 = 12 V、15 V、5 V、9 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル， シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±3 V， ±5 V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 2寸法 = 19.25 x 6.4 x 3.5mmCMOSアナログスイッチ / マルチプレクサRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 HCシリーズ ロジックゲート， 5.2mA， 2～6 V， 14-Pin SOP 2-入力東芝￥279税込￥307
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 6 V， 15 ns @ 4.5 V， 75 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA伝播遅延テスト条件 = 50pFTC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba VHCシリーズ CMOSインバータ， 8mA， 2～5.5 V， 5-Pin SSOP東芝￥269税込￥296
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.6 ns @ 3.3 V高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = VHC寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -40 ℃TC7SHシリーズSMVパッケージ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM東芝￥129税込￥142
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
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