トランジスタ ：「表面実装」の検索結果

Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1000 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -400 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2000 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.65 x 6.7 x 3.7mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 225 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 500 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.1 x 3 x 1.4mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 150 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 806 mW。最小DC電流ゲイン = 50。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 600 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 60。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -160 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SM。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.75 W。最小DC電流ゲイン = 400， 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 8。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc デュアル NPN/PNP トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 80 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 500。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 45 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.5 x 2.5 x 1.5mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 130 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 806 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 160 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc