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トランジスタ :「抵抗 1ω」の検索結果

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onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, NSBC114EDXV6T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, NSBC114EDXV6T1Gonsemi
38,980税込42,878
1セット(4000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-563実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = デュアルピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2ベースエミッタ抵抗器 = 10kΩこのシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2214LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2214LT1Gonsemi
1,498税込1,648
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準入力抵抗 = 10 kΩmm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5235T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5235T1Gonsemi
13,980税込15,378
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 310 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 0.047kΩこのシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5212DW1T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5212DW1T1Gonsemi
1,098税込1,208
1袋(50個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 385 mWトランジスタ構成 = デュアルピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2標準抵抗比 = 1kΩ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5214T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5214T1Gonsemi
889税込978
1袋(100個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 310 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5213T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5213T1Gonsemi
889税込978
1袋(100個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 310 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ
RoHS指令(10物質対応)対応

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