エコ商品
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)1.2
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)350
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)300
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65
最大ゲートしきい値電圧(V)1
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ7 nC @ 4.5 V
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥699
税込￥769
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)500
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5
最大ゲートしきい値電圧(V)3
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費830 mW
1箱(10個)
￥329
税込￥362
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：85 nC @ 10 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(
パッケージTO-3PN
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)214000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1個
￥539
税込￥593
欠品中
仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)5.2×4.19×5.33
高さ(mm)5.33
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)50
最大ゲート-ソース間電圧(V)-35
トランジスタ構成シングル
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 5
最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35
ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28
ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
1箱(50個)
￥2,698
税込￥2,968
5日以内出荷
仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)5.2×4.19×5.33
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)100
最大ゲート-ソース間電圧(V)-35
トランジスタ構成シングル
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 2
最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35
ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28
ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
1箱(50個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)5.2×4.19×5.33
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
回路構成シングル
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)30
最大ゲート-ソース間電圧(V)-35
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 20
最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35
ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28
ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
1箱(50個)
￥2,198
税込￥2,418
5日以内出荷
仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)2.9×1.3×1.04
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大ドレイン-ソース間電圧(V)15
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)30
最大ゲート-ソース間電圧(V)-35
トランジスタ構成シングル
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)20
最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35
ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28
ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
1セット(50個)
￥2,398
税込￥2,638
5日以内出荷
仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)4.58×3.86×4.58
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)12
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25
トランジスタ構成シングル
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 40
最大ドレイン-ゲート間電圧(V)25
ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)85
ソースゲートオンキャパシタンス(pF)85
1箱(25個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)2.92×1.3×0.93
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)50
最大ゲート-ソース間電圧(V)-35
トランジスタ構成シングル
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 5
最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35
ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28
ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
1箱(25個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)2.9×1.3×1.04
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ゲート-ソース間電圧(V)-40
トランジスタ構成シングル
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)10 to 40
最大ドレイン-ゲート間電圧(V)40
1箱(50個)
￥1,898
税込￥2,088
5日以内出荷
仕様PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)2.9×1.3×1.04
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
回路構成シングル
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大ドレイン-ソース間電圧(V)15
最大ゲート-ソース間電圧(V)30
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)-2 to -15
最大ドレイン-ゲート間電圧(V)-30
1箱(50個)
￥3,298
税込￥3,628
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 250 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-363●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 6●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.5V●最大パワー消費 ： 2.72 W●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 1.35mm●高さ ： 1mm●デュアルNチャンネルMOSFET●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥44,980
税込￥49,478
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：11.2 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)5
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)17
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
￥1,298
税込￥1,428
5日以内出荷
仕様最大連続ドレイン電流：0.4166666667
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)2.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,898
税込￥2,088
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：18 A
幅(mm)3.9
高さ(mm)1.575
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥2,798
税込￥3,078
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.65V●最大連続ドレイン電流：680 mA●標準ゲートチャージ @ Vgs：1.64 nC @ 4.5 V
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性デジタルFET、Fairchild Semiconductor
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)900
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)25
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450
最大ゲート-ソース間電圧(V)8
トランジスタ構成絶縁型
最小動作温度(℃)-55
1個
￥98
税込￥108
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
高さ(mm)1
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)6.3
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.6 W
1箱(10個)
￥629
税込￥692
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)6.1
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)58.8
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ19 nC @ 10 V
1箱(25個)
￥2,098
税込￥2,308
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 2.6 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SOT-223●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 185 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最大パワー消費 ： 2.3 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●動作温度 Max ： +175 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥76,980
税込￥84,678
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 350 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 1.25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥469
税込￥516
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-223●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 150 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 3.13 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.65mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥279,800
税込￥307,780
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：58 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)55
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最大動作温度(℃)175
1箱(5個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：76 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：72 nC @ 10 V
高さ(mm)1.05
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor
パッケージPQFN8
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)125
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)80
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(3個)
￥1,498
税込￥1,648
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージPower 33
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)30
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最大動作温度(℃)150
1箱(5個)
￥809
税込￥890
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18.5 A
幅(mm)3.9
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)2.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)170
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)6
最大ゲートしきい値電圧(V)2
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ1.8 nC @ 10 V
最大パワー消費360 mW
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 170 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 6 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.8V●最大パワー消費 ： 225 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 1.3mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルパワーMOSFET●100 V → 1700 V●ON Semiconductor
1セット(3000個)
￥21,980
税込￥24,178
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： P●IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 ： 1.5 to 20mA●最大ドレイン-ゲート間電圧 ： 25V dc●回路構成 ： シングル●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 300 Ω●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-23●ピン数 ： 3●ソースゲート オンキャパシタンス ： 11pF●寸法 ： 3.04 x 1.4 x 1.01mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●PチャンネルJFET●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥499
税込￥549
翌々日出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
長さ(mm)5
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)2
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成絶縁型
1箱(25個)
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：18 A
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)38.5
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)265
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1個
￥419
税込￥461
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 110 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.6V●最大パワー消費 ： 480 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 1.01mm●NチャンネルパワーMOSFET●30 V●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥2,598
税込￥2,858
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：18 nC @ 10 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)54
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,298
税込￥1,428
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：16 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージPower 33
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)35
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)212
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥799
税込￥879
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)600
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)240
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
￥879
税込￥967
5日以内出荷
仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
寸法2.9 x 1.3 x 0.97mm
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大ドレイン-ソース間電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-40
トランジスタ構成シングル
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)8 to 80
最大ドレイン-ゲート間電圧(V)40
1箱(100個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)1.6
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)4
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12
トランジスタ構成シングル
1箱(20個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
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