受動部品 :「表面実装」の検索結果

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仕様オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)10物質対応 パッケージDIP 実装タイプ表面実装
1箱(5個)
2,598 税込2,858
5日以内出荷

仕様論理回路:AC 高さ(mm)1.05 タイプロジック:インバータ 入力種類TTL ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 低レベル出力電流(mA)(Max)24 高レベル出力電流(mA)(Max)-24 最大伝播遅延時間@最大CL9.5 ns @ 50 pF エレメント数6
1箱(25個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様論理回路:HCT 高さ(mm)1.5 タイプロジック:インバータ 入力種類CMOS ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.5 低レベル出力電流(mA)(Max)4.8 高レベル出力電流(mA)(Max)4.8 最大伝播遅延時間@最大CL18 ns @ 15 pF
1箱(25個)
1,798 税込1,978
7日以内出荷

仕様論理回路:HCT 高さ(mm)1.5 入力種類シュミットトリガ ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.5 低レベル出力電流(mA)(Max)4.8 高レベル出力電流(mA)(Max)4.8 最大伝播遅延時間@最大CL18 ns @ 15 pF シュミットトリガー入力あり
1箱(25個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様●実装タイプ : 表面実装●動作温度 Min : -55 ℃●動作温度 Max : +125 ℃mm●長さ : 2.5mm●ESDプロテクタ●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
309 税込340
7日以内出荷

1セット(48個)ほか
3,698 税込4,068
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (4種類の商品があります)

仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大パワー消費(mW)200 最大逆漏れ電流(nA)900 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)37
1箱(200個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様N チャンネル汎用アンプ - このデバイスは、主に低レベルオーディオ向けに設計され、高インピーダンス信号源を使用する汎用用途に適しています。プロセス 52 から調達。用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大パワー消費(mW)350
1箱(25個)
989 税込1,088
7日以内出荷

仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大逆漏れ電流(μA)4.5 最大パワー消費(mW)200 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)84
1セット(200個)
1,498 税込1,648
5日以内出荷

寸法(mm)1.7×1.3×1 ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Min)-65 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大パワー消費(mW)200 最大逆漏れ電流(nA)900 ツェナータイプ電圧レギュレータ ツェナー電圧許容性(%)±5 最大ツェナーインピーダンス(Ω)376
1箱(50個)
699 税込769
7日以内出荷

仕様●伝播遅延テスト条件:50pF●論理回路:LVX タイプロジック:インバータ 入力種類シュミットトリガ ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)3.6 低レベル出力電流(mA)(Max)4 高レベル出力電流(mA)(Max)-4 最大伝播遅延時間@最大CL23 ns @ 50 pF エレメント数6 シュミットトリガー入力あり
1箱(25個)
1,798 税込1,978
7日以内出荷

1袋(55個)ほか
3,598 税込3,958
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (3種類の商品があります)

ピン数(ピン)6 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大パワー消費(W)2.4
1箱(25個)
2,898 税込3,188
7日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40 最大パワー消費(mW)350 最大エミッタ-ベース間電圧(V)6 最大コレクタ-ベース間電圧(V)75 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(mA)800 トランジスタタイプNPN 最小DC電流ゲイン50 最大動作周波数(MHz)300
1箱(20個)
799 税込879
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様最大動作周波数:250 MHz ピン数(ピン)16 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild Semiconductor パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数4 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40 最大パワー消費(W)1 最大エミッタ-ベース間電圧(V)66 最大コレクタ-ベース間電圧(V)60 トランジスタ構成絶縁型 最大DCコレクタ電流(mA)200 トランジスタタイプNPN 最大動作温度(℃)150
1箱(5個)
1,898 税込2,088
7日以内出荷

仕様MM74HC00 NAND Gates は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用し、標準 CMOS 集積回路の低電力消費で LS-TTL Gates と同様の動作速度を実現します。Gates はすべて、バッファ出力を備えています。すべてのデバイスはノイズ耐性に優れ、 10 個の LS-TTL 負荷を駆動できます Ability74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的で、ピン配列互換です。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加するこ 高さ(mm)1.5 タイプロジック:NAND 入力種類CMOS ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 低レベル出力電流(mA)(Max)5.2 高レベル出力電流(mA)(Max)5.2 最大伝播遅延時間@最大CL15 ns @ 15 pF ゲートあたりの入力数2
1箱(25個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

仕様論理回路:VHC、74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS 高さ(mm)1.5 タイプロジック:AND ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)5.5 低レベル出力電流(mA)(Max)8 高レベル出力電流(mA)(Max)-8 最大伝播遅延時間@最大CL14 ns @ 50 pF エレメント数4 ゲートあたりの入力数2 シュミットトリガー入力なし
1セット(55個)
4,598 税込5,058
5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大パワー消費(mW)200 最大逆漏れ電流(nA)45 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)28
1箱(200個)
1,398 税込1,538
5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor 寸法(mm)3.04×1.4×1.01 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大逆漏れ電流(nA)100 ツェナータイプ電圧レギュレータ ツェナー電圧許容性(%)±5 最大ツェナーインピーダンス(Ω)20 最大パワー消費300 mW ツェナー電圧(V)標準11
1箱(250個)
1,198 税込1,318
7日以内出荷

仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大逆漏れ電流(μA)2.7 最大パワー消費(mW)200 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)75
1セット(200個)
1,398 税込1,538
5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 テスト電流(mA)5 最大逆漏れ電流(μA)1.8 最大パワー消費(mW)200 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)56
1セット(200個)
1,498 税込1,648
5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大逆漏れ電流(μA)4.5 最大パワー消費(mW)200 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)89 ツェナー電圧(V)標準3.3
1箱(200個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様●ラッチエレメント : デコーダ●ビット数 : 4●出力タイプ : パルス●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 16●セット/リセット : Yes●寸法 : 10.45 x 7.6 x 2.4mm●高さ : 2.4mm●長さ : 10.45mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●MC14536B プログラマブルタイマは● 24 段バイナリリップルカウンタで● 16 段階はバイナリコードで選択できます。オンチップ RC 発振器又は外部クロックを用意しています。パルスタイプ出力を内蔵したオンチップモノステーブル回路が搭載されています。適切な入力クロック周波数と組み合わせて適切なカウンタ段を選択することで●さまざまなタイミングを実現できます。24 のフリップフロップの段階 - 20 から 224 まで数える 4 ビット選択コードで選択可能な最新 16 段階 8 バイパス入力により●最初の 8 つのステージをバイパスできます 入力を設定およびリセットします クロックインヒビット及びオシレータインヒビット入力 オンチップ RC オシレータによりプロビジョニングされています オンチップモノステーブル出力プロビジョニング クロック調整回路は●非常に長い立ち上がり時間及び立ち下がり時間で動作できます Test Mode \81\5c Fast Test Sequence (高速テストシーケンス)を可 \94\5c に 供給電圧範囲: 3.0 → 18 V dc 定格温度範囲で 2 つの低電力 TTL 負荷又は 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷を駆動可能 鉛フリーパッケージを用意 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(47個)
5,798 税込6,378
7日以内出荷

仕様●論理回路 : HC●ロジックタイプ : D タイプ●出力タイプ : CMOS●極性 : 非反転●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 20●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL : 220 ns @ 50 pF●動作供給電圧 Max : 6 Vmm●高さ : 2.4mm●高性能シリコンゲート CMOS : MC74HC273A は● LS273 とピン配列が同一です。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。このデバイスは●コモンクロック入力とリセット入力を備えた 8 個の D フリップフロップで構成されています。各フリップフロップには●クロック入力の低 - 高遷移がロードされています。リセットは非同期でアクティブローです。出力駆動能力: 10 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL への直接インターフェイス出力 動作電圧範囲: 2.0 ~ 6.0V 低入力電流: 1.0 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ: 264 FET または 66 等価 Gates RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(38個)
3,598 税込3,958
7日以内出荷

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 6.5V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5ns。最大入力電流 = 10 μA。絶縁電圧 = 3750 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 4.8ns。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
549 税込604
5日以内出荷

仕様最大動作周波数:300 MHz ピン数(ピン)16 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild Semiconductor パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数4 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40 最大パワー消費(W)1 最大エミッタ-ベース間電圧(V)5 最大コレクタ-ベース間電圧(V)75 トランジスタ構成絶縁型 最大DCコレクタ電流(mA)500 トランジスタタイプNPN 最小DC電流ゲイン100 最大動作温度(℃)150
1箱(5個)
2,198 税込2,418
5日以内出荷

仕様デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)6 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40 最大パワー消費(mW)700 最大エミッタ-ベース間電圧(V)6 最大コレクタ-ベース間電圧(V)60 トランジスタ構成絶縁型 最大DCコレクタ電流(mA)200 トランジスタタイプNPN 最小DC電流ゲイン100 最大動作周波数(MHz)250
1箱(50個)
2,498 税込2,748
5日以内出荷

仕様74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、伝播遅延テスト条件:50pF、論理回路:AC タイプロジック:AND ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 低レベル出力電流(mA)(Max)24 高レベル出力電流(mA)(Max)-24 最大伝播遅延時間@最大CL10ns エレメント数4 ゲートあたりの入力数2 シュミットトリガー入力なし
1セット(25個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷

仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor 寸法(mm)6.7×3.7×1.7 ピン数(ピン)3 + Tab RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)80 最大パワー消費(W)1 最大エミッタ-ベース間電圧(V)4 最大コレクタ-ベース間電圧(V)80 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(mA)500 トランジスタタイプNPN 最小DC電流ゲイン100 最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
3,098 税込3,408
5日以内出荷

仕様74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS、論理回路:ACT タイプロジック:NAND 入力種類TTL ピン数(ピン)14 動作温度(℃)(Min)-40 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 低レベル出力電流(mA)(Max)24 高レベル出力電流(mA)(Max)-24 最大伝播遅延時間@最大CL10ns エレメント数4 ゲートあたりの入力数2 シュミットトリガー入力なし
1箱(25個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 500 mW●パッケージタイプ : SOD-123●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 2mA●最大ツェナーインピーダンス : 80Ω●最大逆漏れ電流 : 50nA●寸法 : 2.69 x 1.6 x 1.12mm●動作温度 Min : -55 ℃●ツェナーダイオード500 mW●MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ●ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷

仕様このデュアル N / P チャンネル拡張モード電界効果トランジスタは、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産されており、特にオン状態抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失及び高速スイッチングが必要な低電圧用途やバッテリ駆動用途に最適です。Q1 : N チャネル 7.0 A 、 30 V RDS ( ON )-4.5 V 高速スイッチング速度 幅広く使用されている表面実装パッケージ ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 最大パワー消費(W)2 最大動作温度(℃)150
1箱(10個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

ピン数(ピン)6 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大パワー消費(W)2.4 トランジスタ構成シングル
1箱(25個)
2,698 税込2,968
7日以内出荷

仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●シュミットトリガ入力:なし●伝播遅延テスト条件:50pF●論理回路:HC タイプロジック:AND 出力電流(mA)低レベル:(Max)5.2、高レベル:(Max)-5.2 ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 最大伝播遅延時間@最大CL121 ns @ 2 V、 20 ns @ 6 V、 24 ns @ 4.5 V エレメント数4 ゲートあたりの入力数2
1箱(10個)
599 税込659
5日以内出荷

仕様●シュミットトリガ入力:なし●ロジックタイプ:NAND●低レベル出力電流 Max:24mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:10ns●論理回路:AC 入力CMOS ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Max)6、(Min) 2 高レベル出力電流(mA)-24 エレメント数4 ゲートあたりの入力数2 最小動作温度(℃)-40
1箱(5個)
429 税込472
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様論理回路:HC タイプロジック:AND 入力種類CMOS ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 低レベル出力電流(mA)(Max)5.2 高レベル出力電流(mA)(Max)5.2 最大伝播遅延時間@最大CL20 ns @ 15 pF ゲートあたりの入力数2 出力タイプLSTTL
1箱(25個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

仕様74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、論理回路:HC 寸法(mm)8.75×4×1.5 タイプロジック:NAND 入力種類CMOS ピン数(ピン)14 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 低レベル出力電流(mA)(Max)5.2 高レベル出力電流(mA)(Max)5.2 最大伝播遅延時間@最大CL158ns エレメント数4 ゲートあたりの入力数2 シュミットトリガー入力なし
1セット(25個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷

仕様74VHCTファミリ、Fairchild Semiconductor、論理回路:VHCT 長さ(mm)5 タイプロジック:AND 入力種類CMOS ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.5 低レベル出力電流(mA)(Max)8 高レベル出力電流(mA)(Max)-8 最大伝播遅延時間@最大CL9 ns @ 50 pF エレメント数4 ゲートあたりの入力数2 シュミットトリガー入力なし
1セット(50個)
3,998 税込4,398
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS、論理回路:ACT タイプロジック:OR 入力種類TTL ピン数(ピン)14 動作温度(℃)(Min)-40 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 低レベル出力電流(mA)(Max)24 高レベル出力電流(mA)(Max)-24 最大伝播遅延時間@最大CL10ns エレメント数4 ゲートあたりの入力数2 シュミットトリガー入力なし
1セット(25個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷

仕様●ロジックタイプ : NOR●実装タイプ : 表面実装●エレメント数 : 4●ゲートあたりの入力数 : 2●シュミットトリガ入力 : なし●パッケージタイプ : TSSOP●ピン数 : 14●論理回路 : HC●動作供給電圧 Max : 6 V●高レベル出力電流 Max : -5.2mA●動作供給電圧 Min : 2 V●低レベル出力電流 Max : 5.2mA●幅 : 4.5mm●74HC シリーズ●ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS●出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
689 税込758
7日以内出荷

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