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仕様●定格平均オン電流 : 0.16A●サイリスタタイプ : SCR●パッケージタイプ : SOT-23●繰返しピーク逆方向電圧 : 200V●サージ電流レーティング : 7A●実装タイプ : 表面実装●最大ゲートトリガー電流 : 0.2mA●最大ゲートトリガー電圧 : 0.8V●最大保持電流 : 6mA●ピン数 : 3●寸法 : 2.9×1.3×0.95mm●動作温度 Min : -40 ℃V●STMicroelectronics 高感度ゲートサイリスタ. STMicroelectronics の高感度ゲートサイリスタ製品は、ゲートトリガ電流が制限されている用途に適しています。主な用途は、漏電遮断器と残留電流装置です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
68,980 税込75,878
5日以内出荷

仕様●定格平均オン電流 : 0.8A●サイリスタタイプ : SCR●パッケージタイプ : SOT-223●繰返しピーク逆方向電圧 : 600V●サージ電流レーティング : 25A●実装タイプ : 表面実装●最大ゲートトリガー電流 : 0.2mA●最大ゲートトリガー電圧 : 0.8V●最大保持電流 : 5mA●ピン数 : 3+Tab●寸法 : 6.5×3.5×1.8mm●動作温度 Min : -40 ℃V●STMicroelectronics 高感度ゲートサイリスタ. STMicroelectronics の高感度ゲートサイリスタ製品は、ゲートトリガ電流が制限されている用途に適しています。主な用途は、漏電遮断器と残留電流装置です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
499 税込549
5日以内出荷

仕様●定格平均オン電流: 4A●実装タイプ: スルーホール●パッケージタイプ: TO-220AB●最大ゲートトリガー電流: 35mA●繰返しピーク逆方向電圧: 800V●サージ電流レーティング: 31A●ピン数: 3●最大ゲートトリガー電圧: 1.3V●繰返しピーク順方向抑止電圧: 800V●最大保持電流: 35mA●寸法: 10.4×4.6×9.15mm●長さ: 10.4mm●幅: 4.6mm●高さ: 9.15mm●動作温度 Max: +125 ℃mA●トライアック、最大6 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,298 税込1,428
5日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 2 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : SOT-32●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 25 W●最小DC電流ゲイン : 25●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 3 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.8×7.8×2.7mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,598 税込3,958
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1500 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 9 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 140 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM) RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
27,980 税込30,778
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●パッケージタイプ : TO-247●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 700 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 350 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
29,980 税込32,978
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 45 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 100 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 417 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 5.15mm●動作温度 Min : -65 ℃●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,198 税込2,418
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 7 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 160 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●動作温度 Max : +150 ℃●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM) RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
22,980 税込25,278
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 17 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 30 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 60 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.2V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -16 V, +16 V●幅 : 6.2mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
879 税込967
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 200 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 400 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 75 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
6,498 税込7,148
5日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大連続コレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 200●最大コレクタ-ベース間電圧 : 60 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 : 0.05mA●動作温度 Min : -65 ℃mm●PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
899 税込989
5日以内出荷

1セット(30個)
21,980 税込24,178
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 40 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 60 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
229,800 税込252,780
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 20 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : FDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 290 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 192 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 37 nC @ 10 Vmm●高さ : 9.15mm●NチャンネルFDmesh(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
31,980 税込35,178
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 320 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM) RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
39,980 税込43,978
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 53 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スクリュー マウント●ピン数 : 4●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 80 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 460 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.1mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
49,980 税込54,978
5日以内出荷

仕様●ダイオード構成 : 絶縁型A●1チップ当たりのエレメント数 : 2●最大逆電圧 : 1200V●パッケージタイプ : ISOTOP●ピン数 : 4V●動作温度 Max : +150 ℃●長さ : 38.2mm●幅 : 25.5mm●高さ : 12.2mm●寸法 : 38.2×25.5×12.2mm●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,998 税込4,398
欠品中

仕様●ダイオード構成 : 絶縁型A●1チップ当たりのエレメント数 : 2●最大逆電圧 : 1200V●パッケージタイプ : ISOTOP●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピン数 : 4V●最大ダイオードキャパシタンス : 45pF●動作温度 Max : +150 ℃●長さ : 38.2mm●幅 : 24.8mm●高さ : 12.2mm●寸法 : 38.2×24.8×12.2mm●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
39,980 税込43,978
5日以内出荷

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