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仕様●定格平均オン電流 ： 0.16A●サイリスタタイプ ： SCR●パッケージタイプ ： SOT-23●繰返しピーク逆方向電圧 ： 200V●サージ電流レーティング ： 7A●実装タイプ ： 表面実装●最大ゲートトリガー電流 ： 0.2mA●最大ゲートトリガー電圧 ： 0.8V●最大保持電流 ： 6mA●ピン数 ： 3●寸法 ： 2.9×1.3×0.95mm●動作温度 Min ： -40 ℃V●STMicroelectronics 高感度ゲートサイリスタ. STMicroelectronics の高感度ゲートサイリスタ製品は、ゲートトリガ電流が制限されている用途に適しています。主な用途は、漏電遮断器と残留電流装置です。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥68,980
税込￥75,878
5日以内出荷
仕様●定格平均オン電流 ： 0.8A●サイリスタタイプ ： SCR●パッケージタイプ ： SOT-223●繰返しピーク逆方向電圧 ： 600V●サージ電流レーティング ： 25A●実装タイプ ： 表面実装●最大ゲートトリガー電流 ： 0.2mA●最大ゲートトリガー電圧 ： 0.8V●最大保持電流 ： 5mA●ピン数 ： 3+Tab●寸法 ： 6.5×3.5×1.8mm●動作温度 Min ： -40 ℃V●STMicroelectronics 高感度ゲートサイリスタ. STMicroelectronics の高感度ゲートサイリスタ製品は、ゲートトリガ電流が制限されている用途に適しています。主な用途は、漏電遮断器と残留電流装置です。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥499
税込￥549
5日以内出荷
仕様●定格平均オン電流： 4A●実装タイプ： スルーホール●パッケージタイプ： TO-220AB●最大ゲートトリガー電流： 35mA●繰返しピーク逆方向電圧： 800V●サージ電流レーティング： 31A●ピン数： 3●最大ゲートトリガー電圧： 1.3V●繰返しピーク順方向抑止電圧： 800V●最大保持電流： 35mA●寸法： 10.4×4.6×9.15mm●長さ： 10.4mm●幅： 4.6mm●高さ： 9.15mm●動作温度 Max： +125 ℃mA●トライアック、最大6 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,298
税込￥1,428
5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 2 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 80 V●パッケージタイプ ： SOT-32●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 25 W●最小DC電流ゲイン ： 25●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 3 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 10.8×7.8×2.7mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥3,598
税込￥3,958
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1500 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 9 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 140 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥27,980
税込￥30,778
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-247●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 700 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 350 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥29,980
税込￥32,978
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 45 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 100 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 417 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 5.15mm●動作温度 Min ： -65 ℃●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥2,198
税込￥2,418
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 160 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃●高さ ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥22,980
税込￥25,278
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 17 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 60 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.2V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●幅 ： 6.2mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥879
税込￥967
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 200 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 400 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 75 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥6,498
税込￥7,148
5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大連続コレクタ電流 ： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 200●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.05mA●動作温度 Min ： -65 ℃mm●PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥899
税込￥989
5日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 40 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 60 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥229,800
税込￥252,780
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 20 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： FDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 290 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 192 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 37 nC @ 10 Vmm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルFDmesh(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥31,980
税込￥35,178
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 320 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥39,980
税込￥43,978
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 53 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スクリュー マウント●ピン数 ： 4●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 80 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 460 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.1mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
￥49,980
税込￥54,978
5日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： 絶縁型A●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●最大逆電圧 ： 1200V●パッケージタイプ ： ISOTOP●ピン数 ： 4V●動作温度 Max ： +150 ℃●長さ ： 38.2mm●幅 ： 25.5mm●高さ ： 12.2mm●寸法 ： 38.2×25.5×12.2mm●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥3,998
税込￥4,398
欠品中
仕様●ダイオード構成 ： 絶縁型A●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●最大逆電圧 ： 1200V●パッケージタイプ ： ISOTOP●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●ピン数 ： 4V●最大ダイオードキャパシタンス ： 45pF●動作温度 Max ： +150 ℃●長さ ： 38.2mm●幅 ： 24.8mm●高さ ： 12.2mm●寸法 ： 38.2×24.8×12.2mm●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
￥39,980
税込￥43,978
5日以内出荷
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