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ON SEMICONDUCTORのディスクリート

整流ダイオード1N4007G 1KV/1A
ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)
￥40税込￥44
1本
当日出荷
仕様●VRM[V]：1000V●Io[A]：1.0A●trr[sec]：-●パッケージ：DO-204AL、DO-41、アキシャル●内部回路：-●VRM[V]：1000Vアズワン品番68-2036-39
オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 1000V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)
￥319税込￥351
1袋(5個)
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.21mm幅 = 2.72mm高さ = 2.72mmピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
整流用ブリッジダイオード GBPCシリーズ
ON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)
￥1,598～税込￥1,758～
1袋(2個)ほか
当日出荷から9日以内出荷
長さ(mm)29寸法(mm)29×29×11.23ピン数(ピン)4ダイオードシリコンジャンクション動作温度(℃)-55～150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスクリューマウントピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1ブリッジタイプ単相
バリエーション一覧へ(27)
オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 4A， 600V， 2-Pin DO-201AD
ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)
￥679税込￥747
1袋(5個)
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.28V長さ = 9.5mm幅 = 5.3mm高さ = 5.3mmピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 110Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズ
ON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)
￥2,798税込￥3,078
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 1A， 5 V 固定出力， 3-Pin TO-220
ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)
￥529税込￥582
1袋(5個)
当日出荷
仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正精度 = ±4%MC7805リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7805ファミリリニア電圧レギュレータは、広範な用途で使用できる固定電圧レギュレータです。この7805正電圧レギュレータは外部コンポーネントを必要とせず、内部サーマル過負荷保護及び電流制限、安全動作領域補償を統合しています。. 出力電圧: 5 V 内部の短絡電流制限出力トランジスタ安全動作領域補償鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 12 A， 3-Pin TO-220
ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)
￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 100 W最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 4 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 8.8 A， 8 ピンパッケージSOIC
ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)
￥969税込￥1,066
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW幅 = 4mm自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 74 HCシリーズロジックゲート， 5.2mA， 2～6 V， 14-Pin SOIC 2-入力
ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)
￥409税込￥450
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応